重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？黑龍江DDR3測試故障

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz； 數據信號速率為1600?3200Mbps；數據命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線；數據和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲，并支持動態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數據和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲；DDR3和DDR4的數據信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后，為了改進信號質量，在芯片內為所有數據和選通信號設計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號。 天津DDR3測試USB測試什么是DDR3內存的一致性問題？

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管，等所有模型設置完成后再重新連接。

創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具，單擊左側Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側是Workflow,右側是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側為Block之間的連接信息，右側是模型設置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話框。 DDR3一致性測試是否可以檢測出硬件故障？

高速DDRx總線系統(tǒng)設計

首先簡要介紹DDRx的發(fā)展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統(tǒng)，并推導源同步時鐘系統(tǒng)的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內存模塊？校準DDR3測試PCI-E測試

DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試？黑龍江DDR3測試故障

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。 黑龍江DDR3測試故障