DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR4關于信號建立保持是的定義；自動化DDR測試項目

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或寫入事務現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數(shù)量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內存以滿足下一代計算的需求。自動化DDR測試項目借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；

什麼是DDR內存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而，計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業(yè)的內存解決方案。在內存技術不斷發(fā)展的時代，每一種新技術的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內存峰值帶寬定義為：內存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會在實際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質量更好。今年，一種新型內存：DDR內存面世了。對大多數(shù)人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計前列內存和系統(tǒng)設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現(xiàn)預示著內存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內存相比更重要的一點是DDR的價格更低。

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR信號質量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；

8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關因素，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串擾仿真的結果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實現(xiàn)了，但是此走線必須要很細，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走線都只需要兩段的，除非使用微小的過孔和盤中孔的技術。終，考慮到信號完整性的容差和成本，可能選擇折中的方案。DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計；測試服務DDR測試產(chǎn)品介紹

DDR3規(guī)范里關于信號建立保持是的定義；自動化DDR測試項目

DDR測試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景，相對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內存技術，比如三星公司推出的LPDDR4x技術，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 自動化DDR測試項目