DDR 規范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統設計中，解讀并使用 DDR 規范中的參數，應用到實際的系統設計中。是某項目中，對 DDR 系統的功能模塊細化框圖。在這個系統中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內存模塊？遼寧機械DDR3測試

· 工業規范標準，Specification：如果所設計的功能模塊要實現某種工業標準接口或者協議，那一定要找到相關的工業規范標準，讀懂規范之后，才能開始設計。

因此，為實現本設計實例中的 DDR 模塊，需要的技術資料和文檔。

由于我們要設計 DDR 存儲模塊，那么在所有的資料當中，應該較早了解 DDR 規范。通過對 DDR 規范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設計一個 DDR 接口，需要滿足規范中規定的 DC，AC 特性及信號時序特征。下面我們從設計規范要求和器件本身特性兩個方面來解讀，如何在設計中滿足設計要求。 青海DDR3測試TX/RX如何確保DDR3內存模塊的兼容性進行一致性測試？

DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。

單擊Next按鈕，出現Setup Trace Check Wizard窗口，確保網絡組的所有網絡都被選中, 單擊Finish按鈕。

  單擊Save File with Error Check保存文件，保存結束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結果包括Workflow中Results and Report的所有內容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  單擊Net Impedance Summary,出現阻抗總結表格，包括網絡序號、網絡名稱、無參 考平面的走線數目、回流不連續的走線數目、過孔數目、比較大阻抗值、小阻抗值、主導阻 抗值、主導阻抗走線長度百分比、走線總長度、走線延時。 DDR3內存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境？

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設置界面中找到U100 (Controller)來設置模型。

在模型設置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個器件模型賦置給U100器件。 是否可以通過調整時序設置來解決一致性問題？遼寧機械DDR3測試

如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內存模塊？遼寧機械DDR3測試

DDR 規范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對于任何一種接口規范的設計，首先要搞清楚系統中傳輸的是什么樣的信號，也就是驅動器能發出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術語講，就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設計中，除了要精確設計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統進行PI仿真，而這是高速系統設計中另一個需要考慮的問題，在這里我們先不討論它，暫時認為系統能夠提供穩定的供電電源。 遼寧機械DDR3測試