DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發現沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經發現，是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號這個特性，會延續在所有的DDRx系統當中，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統含義。當然，除了能量的累積不能超過AC規范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？海南DDR3測試芯片測試

DDR 規范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統設計中，解讀并使用 DDR 規范中的參數，應用到實際的系統設計中。是某項目中，對 DDR 系統的功能模塊細化框圖。在這個系統中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

重慶測量DDR3測試DDR3一致性測試是否適用于非服務器計算機？

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉換成.spd文件，并自動在PowerSI軟件界面中打開。

· 相關器件的應用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設計建議，甚至參考設計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設計，ReferenceDesign：對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設計，以幫助使用者盡快實現解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據自己的需求進行更改。

· IBIS 文件：這個對高速設計而言是必需的，獲得的方法前面已經講過。 DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內存模塊？

DDRx接口信號的時序關系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統，主要有3組時序設計要求。 一組是DQ和DQS的等長關系，也就是數據和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關系，也就是時鐘和地址控制總線的關系；一組是CLK和DQS的關系， 也就是時鐘和選通信號的關系。其中數據和選通信號的時序關系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關系。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的，作為同組的數據和選通信號，需要非常嚴格的 等長關系。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關系經常在土25mil以內，在高速的 DDR3設計時，甚至會要求在±5mil以內。相對來說地址控制和時鐘組的時序關系會相對寬松 一些，常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關系，在絕大多數的DDR設計里 是松散的時序關系，DDR3進行Fly-by設計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區別？重慶自動化DDR3測試

如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？海南DDR3測試芯片測試

DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。 海南DDR3測試芯片測試