DDRx接口信號的時序關(guān)系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時序設(shè)計要求。 一組是DQ和DQS的等長關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關(guān)系，也就是時鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時鐘和選通信號的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號的時序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關(guān)系。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號，需要非常嚴格的 等長關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計時，甚至?xí)笤凇?mil以內(nèi)。相對來說地址控制和時鐘組的時序關(guān)系會相對寬松 一些，常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關(guān)系，在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計里 是松散的時序關(guān)系，DDR3進行Fly-by設(shè)計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 DDR3一致性測試需要運行多長時間？測量DDR3測試商家

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個器件模型賦置給U100器件。 黑龍江PCI-E測試DDR3測試DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到，DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表

DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號這個特性，會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當中，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內(nèi)存的一致性測試是否會降低內(nèi)存模塊的壽命？

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質(zhì)量問題也會變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對于多負載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅(qū)動和端接，使DDR工作時信號質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時序裕量。為什么要進行DDR3一致性測試？測試服務(wù)DDR3測試銷售電話

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單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。 測量DDR3測試商家