高速DDRx總線系統設計

首先簡要介紹DDRx的發展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統，并推導源同步時鐘系統的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內存模塊？測量DDR3測試調試

DDR 規范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統設計中，解讀并使用 DDR 規范中的參數，應用到實際的系統設計中。是某項目中，對 DDR 系統的功能模塊細化框圖。在這個系統中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

重慶DDR3測試USB測試是否可以通過調整時序設置來解決一致性問題？

DDR 規范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對于任何一種接口規范的設計，首先要搞清楚系統中傳輸的是什么樣的信號，也就是驅動器能發出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術語講，就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設計中，除了要精確設計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統進行PI仿真，而這是高速系統設計中另一個需要考慮的問題，在這里我們先不討論它，暫時認為系統能夠提供穩定的供電電源。

容量與組織：DDR規范還涵蓋了內存模塊的容量和組織方式。DDR內存模塊的容量可以根據規范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內存模塊通常以多個內存芯片排列組成，其中每個內存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯粒可以組成密集的內存模塊。電氣特性：DDR規范還定義了內存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性至關重要。兼容性：DDR規范還考慮了兼容性問題，確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。是否可以在已通過一致性測試的DDR3內存模塊之間混搭？

多數電子產品，從智能手機、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合，SDRAM作為大多數基于計算機產品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統設計中。

DDR是雙倍數率的SDRAM內存接口，其規范于2000年由JEDEC （電子工程設計發展 聯合協會）發布。隨著時鐘速率和數據傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統性能指標，或確保系統內部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰越來越大。存 儲器子系統的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 是否可以使用多個軟件工具來執行DDR3內存的一致性測試？測量DDR3測試調試

如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？測量DDR3測試調試

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz； 數據信號速率為1600?3200Mbps；數據命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線；數據和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲，并支持動態ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數據和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲；DDR3和DDR4的數據信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后，為了改進信號質量，在芯片內為所有數據和選通信號設計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號。 測量DDR3測試調試