常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。 DDR3內存的一致性測試包括哪些內容？海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數據信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數據和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線；數據和選 通信號有動態ODT功能；使用Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移，以滿足時序要求。海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試DDR3一致性測試是否可以修復一致性問題？

為了改善地址信號多負載多層級樹形拓撲造成的信號完整性問題，DDR3/4的地址、控制、命令和時鐘信號釆用了Fly-by的拓撲結構種優化了負載樁線的菊花鏈拓撲。另外，在主板加內存條的系統設計中，DDR2的地址命令和控制信號一般需要在主板上加匹配電阻，而DDR3則將終端匹配電阻設計在內存條上，在主板上不需要額外電阻，這樣可以方便主板布線，也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓撲岀現的時鐘信號和選通信號“等長”問題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術進行時序補償，這在一定程度上降低了布線難度，特別是弱化了字節間的等長要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口，新一代DDR4釆用了POD電平接口，它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內存也不再使用SlewRateDerating技術，降低了傳統時序計算的復雜度。

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設計的復雜性留在控制器一端，從而使得外設(DDR存儲心片)的設計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統設計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質上就是要保證這兩個時序圖的正確性。一致性測試是否適用于服務器上的DDR3內存模塊？

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數據信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數據信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個間隔時鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半；信號走線也都使用樹形拓撲，數據和選通信號有ODT功能。 如何進行DDR3內存模塊的熱插拔一致性測試？北京DDR3測試聯系方式

DDR3一致性測試是否適用于非服務器計算機？海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網絡的分布參數模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口和其對應的電源地網絡對應起來，以更好地仿真SSN效應，這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。海南智能化多端口矩陣測試DDR3測試