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DDR測試 DDR總線上需要測試的參數高達上百個，而且還需要根據信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優點是：自動化的設置向導避免連接和設置錯誤；優化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規定的速率，也可以測試用戶自定義的數據速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統計的結果；能夠根據信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數據的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損...

DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據...

DDR測試信號和協議測試 DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆粒或DIMM的系統進行仿真驗證，比如仿真驅動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試；眼圖測試DDR測試一致性測試2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊...

5.串擾在設計微帶線時，串擾是產生時延的一個相當重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB。考慮到互聯通路的成本預算，對于兩邊進行適當的仿真是必須的，當在所有的網線上加一個周期性的激勵，將會由串擾產生的信號抖動，通過仿真，可以在時域觀察信號的抖動，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性，選擇比較...

對于DDR2-800，這所有的拓撲結構都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈式拓撲結構被證明在SI方面是具有優勢的。對于超過兩片的SDRAM，通常，是根據器件的擺放方式不同而選擇相應的拓撲結構。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設計的拓撲結構，在這些拓撲結構中，只有A和D是適合4層板的PCB設計。然而，對于DDR2-800，所列的這些拓撲結構都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設計中，特別是在1600Mbps時，則只有D是滿足設計的。DDR信號的眼圖模板要求那些定義；多端口矩陣測試DDR測試安裝 DDR測試 DDR的信號仿真驗證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉...

DDR測試 DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，...

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數據，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數據，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR4關于信號建立保持是的定義；自動化DDR測試項目DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR...

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電...

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR協議檢查后生成的測試報告；電氣性能測試DDR測試HDMI測...

實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以...

4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變為等長度理想走線時，此時它們的時延是不等的， 顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了...

DDR測試 DDR內存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內存模塊，主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領域，使用的內存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內存)沒有額外驅動電路，延時較小，但數據從CPU傳到每個內存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內存顆粒之間的傳輸距離相等，設計難度較大，因此UDIMM在...

對于DDR2-800，這所有的拓撲結構都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈式拓撲結構被證明在SI方面是具有優勢的。對于超過兩片的SDRAM，通常，是根據器件的擺放方式不同而選擇相應的拓撲結構。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設計的拓撲結構，在這些拓撲結構中，只有A和D是適合4層板的PCB設計。然而，對于DDR2-800，所列的這些拓撲結構都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設計中，特別是在1600Mbps時，則只有D是滿足設計的。DDR工作原理與時序問題；PCI-E測試DDR測試規格尺寸DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和...

DDR測試 制定DDR內存規范的標準按照JEDEC組織的定義，DDR4的比較高數據速率已經達到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數據速率則達到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發展一直比同一代的DDR要慢一點。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標準制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規范(JESD79-5)于2020年發布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務器平臺走向商 DDR在信號測試中解決的問題有那些；測試服務DDR...

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。...

DDR測試 DDR總線上需要測試的參數高達上百個，而且還需要根據信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優點是：自動化的設置向導避免連接和設置錯誤；優化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規定的速率，也可以測試用戶自定義的數據速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統計的結果；能夠根據信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數據的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損...

DDR測試 主要的DDR相關規范，對發布時間、工作頻率、數據 位寬、工作電壓、參考電壓、內存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術做了一系列的技術改進，比如在接收機內部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優化布線、支持片上 ECC/CRC提高數據訪問可靠性、支持Loopback(環回)便于IC調測等。 什麼是DDR內存？如何...

DDR測試 DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR信號質量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；多端口矩陣測試DDR測試推薦貨源 DDR測試 由于DDR4的...

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電...

DDR測試 DDR內存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內存模塊，主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領域，使用的內存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內存)沒有額外驅動電路，延時較小，但數據從CPU傳到每個內存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內存顆粒之間的傳輸距離相等，設計難度較大，因此UDIMM在...

DDR測試 DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR信號的眼圖模板要求那些定義；海南DDR測試價格優惠 這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個過孔附...

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數據，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數據，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR的信號測試和協議測試；黑龍江DDR測試保養 只在TOP和BOTTOM層進行了布線，存儲器由兩片的...

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR協議檢查后生成的測試報告；信息化DDR測試產品介紹 DD...

8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關因素，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區域布線。3）由串擾仿真的結果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤...

DDR測試 DDR4/5的協議測試除了信號質量測試以外，有些用戶還會關心DDR總線上真實讀/寫的數據是否正確，以及總線上是否有協議的違規等，這時就需要進行相關的協議測試。DDR的總線寬度很寬，即使數據線只有16位，加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線，更寬位數的總線甚至會用到上百根線。為了能夠對這么多根線上的數據進行同時捕獲并進行協議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協議測試的基本方法是通過相應的探頭把被測信號引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運行解碼軟件進行協議驗證和分析。 DDR4信號完整性測試案例；信號完整性測試DDR測試銷售電話 DDR測試 DDR總線上需...

4.為了解決上述技術問題，本發明提供了一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質，可以反映正常工作狀態下的波形，可以提高測試效率。5.為實現上述目的，本技術提出技術方案：6.一種ddr4內存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態，然后利用示波器采集ddr4內存中的相關信號并確定標志信號；8.s2，根據標志信號對示波器進行相關參數配置，利用示波器的觸發功能將ddr4內存的信號進行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發明的一個實施例中，所述將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態，然后利用示波器采集d...

5.串擾在設計微帶線時，串擾是產生時延的一個相當重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB。考慮到互聯通路的成本預算，對于兩邊進行適當的仿真是必須的，當在所有的網線上加一個周期性的激勵，將會由串擾產生的信號抖動，通過仿真，可以在時域觀察信號的抖動，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性，選擇比較...

DDR測試 在進行接收容限測試時，需要用到多通道的誤碼儀產生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環回模式，DQ引腳接收的數據經被測件轉發并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進行校準，如DQS與DQ的時延校準、信號幅度校準、DCD與RJ抖動校準、壓力眼校準、均衡校準等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環境。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR壓力測試的內容方案；廣東DDR測試銷售電話 DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數據速...

DDR測試信號和協議測試 DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆粒或DIMM的系統進行仿真驗證，比如仿真驅動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR測試USB眼圖測試設備？浙江DDR測試多端口矩陣測試 DDR測試 DDR4/5的協議測試除...

9.DIMM之前介紹的大部分規則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結構里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結構和樹形拓撲結構是適用的。 10.案例上面所介紹的相關規則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經得到普遍的應用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模...