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溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態，...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯或并聯起來使用，二極管并聯的情況:兩只二極管并聯、每只分擔電路總電流的一半口三只二極管并聯,每只分擔電路總電流的三分之一。總之,有幾只二極管并聯,"流經每只二極管的電流就等...

組成，FET由各種半導體構成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半...

什么是三極管，三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關，是電子電路的主要元件。三極管有哪三極？三極管的工作原理講解，這里我們開始學習...

場效應管的分類：場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導體器件。我們常說的MOS管就是絕緣柵型...

導電溝道的形成：當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極...

靜態電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ...

穩壓二極管和普通二極管應用場景區別，由于穩壓二極管具有穩定的電壓支撐作用，因此它主要應用于需要高精度控制電壓的電路中。例如，在通信設備中，穩壓二極管可以確保電路中的電壓穩定，從而保證通信質量；在電源設備中，穩壓二極管可以穩定輸出電壓，保護電子設備免受電壓波動的...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態，...

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管，當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜...

三極管的分類：三極管的應用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據結構：NPN型三極管；PNP型三極管。根據功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據PN結材料：鍺...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數電中則作開關或者邏輯轉換。三極管的主要結構是PN結，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強度的信號，...

點接觸式二極管，點接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似，不過構造較為簡單。主要結構即為一個由第三主族金屬制成的導電的頂端，和一塊與其相接觸的N型半導體。一些金屬會進入半導體，接觸面的這一小片區域就成為了P型半導體。長期流行的1N34鍺型二極管，目...

場效應晶體管。當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結合可代換其它器件，完成相應功能。比如：兩只三極管串聯可代換調光臺燈中的雙向觸發二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩壓管，代換30V的穩壓管等等。三極管的分類：1、按材質分...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來...

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞...

什么是三極管？三極管，全稱應為半導體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關。三極管的分類，根據結構和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

場效應管主要參數：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負極，中間部分是基區。當基區加上正向電壓時，集電結正偏而形成發射結；反之集電結反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發射極的,所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

三極管的分類：1、按材質分: 硅管（導通壓降0.7V）、鍺管（導通壓降0.3V）。2、按結構分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管。達林頓管：又叫復合管，將兩個三極管串聯，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續增大時，三極管就進入了飽和狀態。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...