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門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

(3) 在跨越檔相鄰兩側桿塔上的放線滑車均應采取接地保護措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應在良好天氣下進行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對濕度大于85%或5級以上大風時，應停止作業。如施工中遇到上述情況...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數。普通串聯穩壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復時間要求不高，只要根據電路的要求選擇比較大整流電...

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸...

這個直流方波電壓經過 Lf和 Cf組成的輸出濾波器后成為一個平直的直流電壓，其電壓值為VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是導通時間，Ts 是開關周期。通過調節占空比D來調節輸出電壓 VO。 這種基本的全橋 PWM 開關變換...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異，不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設備。定義：應用PNPN四層半導體結構和三極（陰極，陽極，門極）實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電...

橋式整流模塊是一種將交流電轉換為直流電的電力電子器件，采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，經特殊燒結工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級導熱絕緣材料，導熱性能好，導熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環負載次數超過國...

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監測功能，如過電流和短路保護，驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

(3) 在跨越檔相鄰兩側桿塔上的放線滑車均應采取接地保護措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應在良好天氣下進行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對濕度大于85%或5級以上大風時，應停止作業。如施工中遇到上述情況...

6．什么叫“H級絕緣，用B級考核溫升”？就是說，變壓器采用H級絕緣材料，但是各個點的工作溫度不允許超過B級絕緣所允許的工作溫度。這實際上是對絕緣材料的一種浪費，但是，變壓器的過載能力會很強.1、施工應具備的條件(1) 圖紙會審和根據廠家資料編制詳細的作業指導書...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發角超過90°以后，電流變為非正弦的，隨之就產生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發，就只會...

而對于5次和7次諧波電流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的諧波電流來說，兩組6脈波TCR在變壓器的一次側產生的諧波電流幅值相等，但相位剛好相反，二者相互抵消。所以在一次側的線電流里將*含12n±1(13為整數)次諧波，也使得對諧波濾波器的要...

要使晶閘管從導通狀態轉變回阻斷狀態，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變為反向。二、類型與特點類型：單向可控硅：具有單向導電性，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向導通功能，適用于交流電...

TCR的響應迅速，典型的響應時間為1．5～3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數和系統強度的函數。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現了補償器的硬電壓控制特性，它將系統電壓精確地穩定在電壓設定值%上。...

它的缺點是對電網無功沖擊大，從而產生較大的起動壓降;它的高次諧波會影響電網電壓波形，干擾其他用電設備;它的運行功率因數低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...

（4）過載能力強：產品具有較強的過負載能力和過電壓能力，可在額定負載情況下長期安全運行，可在110%過電壓情況下滿負載長期安全運行（環境溫度40℃）；變壓器與電機相聯的端子上能承受1.5倍額定電流，歷時5S。產品設計、制造充分考慮負載特性，從溫升、絕緣性能及附...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，...

外加電壓使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異，不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...

TCR的響應迅速，典型的響應時間為1．5～3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數和系統強度的函數。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現了補償器的硬電壓控制特性，它將系統電壓精確地穩定在電壓設定值%上。...

它的缺點是對電網無功沖擊大，從而產生較大的起動壓降;它的高次諧波會影響電網電壓波形，干擾其他用電設備;它的運行功率因數低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...

導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，使通態壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少子）...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。...