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這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通...

散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通常考慮了散熱問題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號(hào)并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結(jié)構(gòu)基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構(gòu)成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構(gòu)成變換器的兩個(gè)橋臂，高...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

對(duì)稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關(guān)系，它們相互之間互不干擾；不對(duì)稱式結(jié)構(gòu)是整流橋在工作時(shí)整流橋相互之間是主從關(guān)系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會(huì)相互影響。但對(duì)稱式結(jié)構(gòu)增加了平衡電抗器。 [...

散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通常考慮了散熱問題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

它的缺點(diǎn)是對(duì)電網(wǎng)無功沖擊大，從而產(chǎn)生較大的起動(dòng)壓降;它的高次諧波會(huì)影響電網(wǎng)電壓波形，干擾其他用電設(shè)備;它的運(yùn)行功率因數(shù)低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...

晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它的主要功能是控制電流的開關(guān)，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N結(jié)構(gòu)）組成，具有三個(gè)PN結(jié)。晶閘管的工作原理是，當(dāng)施加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)到其門極...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變?yōu)榉聪颉６㈩愋团c特點(diǎn)類型：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁壕哂袉蜗驅(qū)щ娦裕Ｓ糜谥绷骰騿蜗蚪涣麟娐返目刂啤ｋp向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ埽m用于交流電...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對(duì)截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

另外，由于整流元件的特性，可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度，可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值，這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實(shí)現(xiàn)相控調(diào)壓，一是采用晶閥管，二是采用自飽和電抗器，自飽和電抗器基本上是由一個(gè)鐵芯和兩個(gè)繞組組成的，一個(gè)是工作繞組，它串聯(lián)...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的電流和電壓。關(guān)斷時(shí)間（t_q）：晶閘管從完全導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。導(dǎo)通壓降（V_f）：晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時(shí)過載電流。動(dòng)態(tài)dv...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用...

導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分），其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件。基片的應(yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。當(dāng)正柵偏...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號(hào)以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡(jiǎn)單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺(tái)燈光F 化學(xué)工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預(yù)熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補(bǔ)償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應(yīng)爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機(jī)加熱，大功率充磁/退磁設(shè)備，航空電源調(diào)壓，中央空調(diào)電加熱器溫控，紡織機(jī)械，水...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽極，門極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙...

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...

外加電壓使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí)，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明...

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...