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但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來...

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無...

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

整流變壓器是整流設(shè)備的電源變壓器。整流設(shè)備的特點是原方輸入交流，而副方通過整流元件后輸出直流。 變流是整流、逆流和變頻三種工作方式的總稱，整流是其中應(yīng)用*****的一種。作為整流裝置電源用的變壓器稱為整流變壓器。工業(yè)用的整流直流電源大部分都是由交流電網(wǎng)通過整流...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過控制晶閘管的導通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點電子開關(guān)：在電路中起到可控電子開關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計注意事項在晶閘管的...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA...

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

4、各種保護功能相對**，保護定值、實現(xiàn)、閉鎖條件和保護投退可**整定和配制。5、保護功能實現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡(luò)，滿足電力系統(tǒng)保護的可靠性。整流變壓器微機保護裝置具備進線保護、出現(xiàn)保護，分段保護、配變保護、電動機保護、電容器保護、主變后備保護、發(fā)電機后備保護、P...

移相方法移相方法就是二次側(cè)采用星、角聯(lián)結(jié)的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數(shù)提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設(shè)備，需要脈波數(shù)也較多，脈波數(shù)為18、24、36等應(yīng)用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側(cè)設(shè)置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯(lián)結(jié)方式...

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸ＭǔＨ》聪驌舸╇妷?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100...

要使晶閘管從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變?yōu)榉聪颉６㈩愋团c特點類型：單向可控硅：具有單向?qū)щ娦裕Ｓ糜谥绷骰騿蜗蚪涣麟娐返目刂啤ｋp向可控硅（TRIAC）：相當于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ埽m用于交流電...

控制方式：通過控制觸發(fā)信號的時機，可以調(diào)節(jié)輸出電壓和電流。應(yīng)用領(lǐng)域：整流電路：用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。調(diào)速控制：在電動機控制中，調(diào)節(jié)電機的速度。功率控制：用于燈光調(diào)光、加熱器控制等。逆變器：在太陽能和風能系統(tǒng)中，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。工作原理：晶閘管的工作原...

若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關(guān)斷的特性。雙...

廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業(yè)電爐等領(lǐng)域。整流器運行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關(guān)電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運行指示燈亮...

而對于5次和7次諧波電流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的諧波電流來說，兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等，但相位剛好相反，二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波，也使得對諧波濾波器的要...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結(jié)構(gòu)基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構(gòu)成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓撲結(jié)構(gòu)及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構(gòu)成變換器的兩個橋臂，高...

多脈沖整流是指在一個三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個周期內(nèi)多于6個波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以?..

晶閘管模塊（ThyristorModule）是一種用于控制電力的電子器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、變頻器、電機控制、加熱設(shè)備等領(lǐng)域。晶閘管是一種半導體器件，能夠在特定條件下導通和關(guān)斷電流，具有高效、可靠的特點。晶閘管模塊通常由多個晶閘管組成，能夠承受較高的電壓和...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅(qū)動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網(wǎng)輸入電壓幅值相位相同，直接供...

通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部，驅(qū)動器和保護電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，...

90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急...

（2）動穩(wěn)定程度高：產(chǎn)品繞組有較高的機械強度，具有較強的抗突發(fā)能力，以滿足極惡劣的負載環(huán)境。在設(shè)計、制造過程中較好地消除了變壓器漏磁引起的或非正常運輸可能造成的動不穩(wěn)定源。產(chǎn)品具有較高的動穩(wěn)定性。高抗阻，比同容量的電力變壓器的阻抗高30%，以抑制di/dt，有...