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[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

IGBT電源模塊是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，其**由MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和GTR（巨型晶體管）復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，兼具高輸入阻抗與低導(dǎo)通壓降的優(yōu)勢(shì)。該模塊廣泛應(yīng)用于高壓變流系統(tǒng)，包括工業(yè)變頻器、電力牽引傳動(dòng)裝置及智能電網(wǎng)設(shè)備等...

圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

TCR觸發(fā)角α的可控范圍是90°～180°。當(dāng)觸發(fā)角為90°時(shí)，晶閘管全導(dǎo)通，此時(shí)TCR中的電流為連續(xù)的正弦波形。當(dāng)觸發(fā)角從90°變到接近180°時(shí)，TCR中的電流呈非連續(xù)脈沖形，對(duì)稱分布于正半波和負(fù)半波。當(dāng)觸發(fā)角為180°時(shí)，電流減小到0，當(dāng)觸發(fā)角低于90°...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬千伏安。需特別注意對(duì)地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵(lì)磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

2. urrm：反向重復(fù)峰值電壓 控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)作用在晶閘管上的反向重復(fù)電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v3. itav：通態(tài)平均電流 環(huán)境溫度為40℃時(shí)，在電阻性負(fù)載、單相工頻正弦半波、導(dǎo)電角不小于170°的電路中，晶閘管允許...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過控制晶閘管的導(dǎo)通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點(diǎn)電子開關(guān)：在電路中起到可控電子開關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且?..

多脈沖整流是指在一個(gè)三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個(gè)周期內(nèi)多于6個(gè)波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋...

若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺(tái)燈光F 化學(xué)工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預(yù)熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補(bǔ)償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應(yīng)爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機(jī)加熱，大功率充磁/退磁設(shè)備，航空電源調(diào)壓，中央空調(diào)電加熱器溫控，紡織機(jī)械，水...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著舉足輕重的地位，其獨(dú)特的開關(guān)特性...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

光控晶閘管：通過光照度觸發(fā)導(dǎo)通，具有很強(qiáng)的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點(diǎn)：體積小、效率高、壽命長(zhǎng)。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音。但靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過的最大電流值。它是...

其特點(diǎn)是：超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷，開關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時(shí)電容釋放的能量加大開通損耗。在此對(duì)移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡(jiǎn)要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件...