表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...
2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗??;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...
而對于5次和7次諧波電流,以及更高次16(2n+1)±1,n=0,1,2,…的諧波電流來說,兩組6脈波TCR在變壓器的一次側產生的諧波電流幅值相等,但相位剛好相反,二者相互抵消。所以在一次側的線電流里將*含12n±1(13為整數)次諧波,也使得對諧波濾波器的要...
IGBT是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR...
TCR的響應迅速,典型的響應時間為1.5~3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數和系統強度的函數。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現了補償器的硬電壓控制特性,它將系統電壓精確地穩定在電壓設定值%上。...
廣泛應用于以下領域:直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業電爐等領域。整流器運行操作流程:1、接通交流電源,控制電源與主開關電源相序同步,將“2SA”按鈕置于啟動位置, “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運行指示燈亮...
常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路,等等??煽毓璧闹饕獏涤校?、 額定通態平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...
IGBT是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR...
冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...
另一方面,非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率,不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之,非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替,它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術,這使得“成本—性能”...
將其分成兩個6脈波TCR來進行分析。以一次測A相基波線電流為參考向量,表示了一個星一星聯結變壓器的TCR在其一次側產生的基波、5次和7次線電流的向量圖。同樣的,我們也可以得到星形一三角形聯結變壓器的TCR在其一次側產生的基波、5次和7次線電流的向量圖。由于都是...
若欲使可控硅關斷,也有兩個關斷條件:1) 使正向導通電流值小于其工作維持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向。可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次,才能使其關斷。若...
。不同的控制策略可以容易的被實現,特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質上是模塊化的,因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的,當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...
2010年,中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片,由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品(采用Planar NPT器件結構)在華潤微電子工藝平臺上流片成功,各項參數均達到設計要求,部分性能優于國外...
1979年,MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成),其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導...
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...
一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結,有正極和負極兩個端子。二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二...
。不同的控制策略可以容易的被實現,特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質上是模塊化的,因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的,當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...
整流橋一般帶有足夠大的電感性負載, 因此整流橋不出現電流斷續。 [1]一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接,使得整流橋電路產生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和...
(2)可以采用開關電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩壓電源)。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環境要求(1)工作場所環境溫度范圍...
變壓器的設計一般只看額定容量,而不看額定功率,因為其電流只與額定容量有關。對于電壓源型變頻器,由于其輸入功率因數接近于1,所以額定容量與額定功率幾乎相等。電流源型變頻器則不然,其輸入側變壓器功率因數**多等于負載異步電機的功率因數,所以對于相同的負載電機,其額...
晶閘管模塊(ThyristorModule)是一種用于控制電力的電子器件,廣泛應用于工業自動化、變頻器、電機控制、加熱設備等領域。晶閘管是一種半導體器件,能夠在特定條件下導通和關斷電流,具有高效、可靠的特點。晶閘管模塊通常由多個晶閘管組成,能夠承受較高的電壓和...
一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結,有正極和負極兩個端子。二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二...
控制方式:通過控制觸發信號的時機,可以調節輸出電壓和電流。應用領域:整流電路:用于將交流電轉換為直流電。調速控制:在電動機控制中,調節電機的速度。功率控制:用于燈光調光、加熱器控制等。逆變器:在太陽能和風能系統中,將直流電轉換為交流電。工作原理:晶閘管的工作原...
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異,不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...
整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波(Y或△)橋式、三相曲折式(Zo形)、六相Y形(中點接線)、六相叉形(又曲折形)、六相Y形并聯橋式(帶平衡電抗器)、六相△Y形串聯橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相(十二、二十四...
KP型晶閘管(phase control thyristor),又叫普通晶閘管,是用于可控整流的設備。定義:應用PNPN四層半導體結構和三極(陰極,陽極,門極)實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電...
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...
當運行點到達控制范圍的**右端,節點電壓進一步升高后將不能由控制系統來補償,因為TCR的電抗器已經處于完全導通狀態,所以運行點將沿著對應電抗器全導通(α=90°)的特性曲線向上移動,此時補償器運行在過負荷范圍,超過此范圍后,觸發控制將設置~個電流極限以防止晶閘...
IGBT電源模塊通過集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導電機制,實現低損耗高頻開關功能。其柵極電壓控制導通狀態,當施加正向電壓時形成導電溝道,集電極-發射極間呈現低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉換場景:1.工業控制:驅動交流電機調速系統,提升變...