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這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通...

2．變壓器設(shè)計(jì)的基本問題是什么？變壓器設(shè)計(jì)的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比，電流密度的大小（即導(dǎo)線的粗細(xì)）按照導(dǎo)體的發(fā)熱量來考慮。對于磁通，電磁學(xué)的基本關(guān)系式為u=4.44fwΦ，其中u為電壓；f為頻率，在這里為50Hz，定值；w為線圈的匝...

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

1、“給定”電位器旋鈕逆時(shí)針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機(jī)”位置，此時(shí)無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運(yùn)行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓，...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不...

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

TCR觸發(fā)角α的可控范圍是90°～180°。當(dāng)觸發(fā)角為90°時(shí)，晶閘管全導(dǎo)通，此時(shí)TCR中的電流為連續(xù)的正弦波形。當(dāng)觸發(fā)角從90°變到接近180°時(shí)，TCR中的電流呈非連續(xù)脈沖形，對稱分布于正半波和負(fù)半波。當(dāng)觸發(fā)角為180°時(shí)，電流減小到0，當(dāng)觸發(fā)角低于90°...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

光控晶閘管：通過光照度觸發(fā)導(dǎo)通，具有很強(qiáng)的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點(diǎn)：體積小、效率高、壽命長。能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音。但靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨(dú)特的價(jià)值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍...

另外，由于整流元件的特性，可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度，可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值，這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實(shí)現(xiàn)相控調(diào)壓，一是采用晶閥管，二是采用自飽和電抗器，自飽和電抗器基本上是由一個(gè)鐵芯和兩個(gè)繞組組成的，一個(gè)是工作繞組，它串聯(lián)...

1、“給定”電位器旋鈕逆時(shí)針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機(jī)”位置，此時(shí)無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運(yùn)行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓，...

另外，變壓器的標(biāo)稱容量還與允許的溫升有關(guān)，例如，如果一臺1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標(biāo)稱容量，反過來說，對于相同容...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件...

（2）專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：JB/DQ2113－84《電化學(xué)用整流變壓器》。常見問題：1．整流變壓器的冷卻介質(zhì)有哪幾種？要把熱量從變頻器中帶出來，可以借助的介質(zhì)一般有三種：空氣、水、油。高壓變頻器的發(fā)熱部件主要是兩部分：一是整流變壓器，二是功率元件。變壓器在早期主要采用油...

TCR觸發(fā)角α的可控范圍是90°～180°。當(dāng)觸發(fā)角為90°時(shí)，晶閘管全導(dǎo)通，此時(shí)TCR中的電流為連續(xù)的正弦波形。當(dāng)觸發(fā)角從90°變到接近180°時(shí)，TCR中的電流呈非連續(xù)脈沖形，對稱分布于正半波和負(fù)半波。當(dāng)觸發(fā)角為180°時(shí)，電流減小到0，當(dāng)觸發(fā)角低于90°...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽極，門極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動(dòng)的。一般負(fù)載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負(fù)載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負(fù)載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動(dòng)電壓...

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...