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BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數值等于脈動電壓...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異，不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...

阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

四種觸發方式可控硅四種觸發方式可控硅四種觸發方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

可控整流：與整流器件構成調壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調**流調壓：通過控制晶閘管的導通角來調節交流電壓的大小。無觸點電子開關：在電路中起到可控電子開關的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關鍵器件使用。五、設計注意事項在晶閘管的...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網的諧波污染，為了提高功率因數，必須提高整流設備的脈波數，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業之中，主要分為照明、機床...

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點以上（細虛線以上）的小脈動波是整流后未經濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個整流二極管（和一個電容器）封裝在一起，組成一...

另一方面，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術，這使得“成本—性能”...

4、各種保護功能相對**，保護定值、實現、閉鎖條件和保護投退可**整定和配制。5、保護功能實現不依賴于通訊網絡，滿足電力系統保護的可靠性。整流變壓器微機保護裝置具備進線保護、出現保護，分段保護、配變保護、電動機保護、電容器保護、主變后備保護、發電機后備保護、P...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動...

1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異，不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...

廣泛應用于以下領域：直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業電爐等領域。整流器運行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運行指示燈亮...

實際上，實際中的三相電抗器的參數不可能完全相同。三相供電電壓也不一定完全平衡。這種不平衡就會導致非特征諧波的產生，包括3倍數次諧波，擴散到線路中。正常情況下，非特征諧波的數值是非常小的。但在嚴重擾動的情況下，正負半波的觸發角可能不同，這就會導致直流分量的產生，...

· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數值等于脈動電壓...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發角超過90°以后，電流變為非正弦的，隨之就產生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發，就只會...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數也較多，脈波數為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯結方式...

（2）專業標準：JB/DQ2113－84《電化學用整流變壓器》。常見問題：1．整流變壓器的冷卻介質有哪幾種？要把熱量從變頻器中帶出來，可以借助的介質一般有三種：空氣、水、油。高壓變頻器的發熱部件主要是兩部分：一是整流變壓器，二是功率元件。變壓器在早期主要采用油...

可控整流：與整流器件構成調壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調**流調壓：通過控制晶閘管的導通角來調節交流電壓的大小。無觸點電子開關：在電路中起到可控電子開關的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關鍵器件使用。五、設計注意事項在晶閘管的...

不控整流電路是由無控制功能的整流二極管組成的整流電路。當輸入交流電壓一定時，在負載上得到的直流電壓是不能調節的電路。它利用整流二極管的單向導電性能把外加交流電壓變為直流電壓。對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關斷只需幾微秒，對于50...

（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環境要求（1）工作場所環境溫度范圍...

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設備。定義：應用PNPN四層半導體結構和三極（陰極，陽極，門極）實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數也較多，脈波數為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯結方式...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數也較多，脈波數為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯結方式...

測量靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件...

觸發電流（I_gt）和觸發電壓（V_gt）：用于觸發晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態dv...

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET...