沉積結束后，不能立即暴露大氣。系統必須按照預設程序，在真空或惰性氣體環境下進行充分的冷卻，以防止高溫樣品氧化或薄膜因熱應力而破裂。待樣品溫度降至安全范圍后，方可執行充氣破空操作，取出樣品。樣品的后續處理與分析需要謹慎。沉積后的樣品，特別是納米結構，可能對空氣敏感，需根據材料特性決定是否需要在手套箱中轉移。取出的樣品應做好標記，記錄詳細的工藝參數，以便與后續的表征結果（如SEM,TEM,XPS,XRD等）進行關聯分析。三頭納米顆粒源結合終止氣體冷凝技術，生成超純非團聚顆粒。納米顆粒沉積系統售后

超高真空PVD系統：超純非團聚納米顆粒沉積的利器

科睿設備有限公司推出的超高真空（UHV）PVD系統，以“超純非團聚納米顆粒直接沉積”為主要優勢，徹底革新了納米材料制備的工藝邏輯。該系統借助先進的真空技術，將真空度控制在極高水平，有效避免了空氣中雜質對納米顆粒的污染，確保沉積過程中納米顆粒的超純特性，同時通過優化的沉積機制，防止顆粒團聚，保證每一顆納米顆粒都能以單獨、均勻的狀態附著于基材表面。更值得關注的是，系統可兼容直徑達50毫米的各類基材，無論是剛性的金屬、陶瓷基板，還是柔性的聚合物材料，都能實現精細沉積，極大拓展了應用場景。對于共享研究實驗室或教學實驗室而言，這一特性尤為重要——不同研究團隊可圍繞催化材料合成、光子器件制備、儲能電極修飾等不同項目并行使用設備，無需擔心交叉污染問題，既提升了設備利用率，又降低了科研成本。此外，系統生成的納米顆粒和薄膜兼具高純度、高均勻性和良好的穩定性，完美適配工業研發中的性能驗證需求和學術研究中的機理探索需求，成為連接基礎研究與實際應用的關鍵技術橋梁。 納米顆粒沉積系統售后設備安裝需預留 1.5 米以上操作空間，環境溫度控制在 18-25℃為宜。

對于納米顆粒沉積過程，實時監控QMS質量過濾器的信號至關重要。操作人員需要學會根據質譜圖譜來判斷納米顆粒的尺寸分布，并據此微調源參數（如蒸發溫度、終止氣體壓力）以獲得目標尺寸的顆粒。這種動態調整能力是獲得理想實驗結果的高級技能。在粉體鍍膜過程中，振動碗的振幅與頻率設置需要根據粉末的流動性、顆粒大小和密度進行優化。目標是使粉末實現均勻、持續的“沸騰”狀態，既保證所有顆粒表面都有機會被涂層覆蓋，又要避免粉末因劇烈振動而濺出碗外或產生過多細塵。

系統控制與自動化：實現工藝的準確復現。

整個沉積過程由“全自動配方驅動軟件”控制，主要是將各環節的參數（真空度、沉積源功率、氣體流量、QMS篩選參數、基材溫度/旋轉/偏置、沉積時間等）整合為“工藝配方”，實現自動化、可重復運行：參數設定與存儲：用戶可根據實驗需求，設定各環節的具體參數（如納米顆粒尺寸、薄膜厚度、沉積速率等），并將參數組合保存為工藝配方，后續可直接調用，確保實驗的可重復性；實時反饋與調節：控制系統通過傳感器實時采集真空度、沉積速率、基材溫度等數據，若參數偏離設定值，自動調節相關部件（如真空泵功率、沉積源電流、氣體閥門開度），維持工藝穩定；安全聯鎖控制：系統內置多重安全聯鎖裝置（如真空度不足時禁止啟動沉積源、基材溫度過高時自動斷電、氣體壓力異常時關閉閥門），確保操作人員和設備安全。 傳感器制造中，沉積功能納米涂層增強器件靈敏度與選擇性檢測能力。

多用途納米顆粒膜制備（萊奧本礦業大學）：該校ChristianMitterer教授課題組引入了由MiniLab125型磁控濺射系統與納米顆粒濺射源組成的UHV綜合系統。該系統可制備1-20nm可調的納米顆粒，支持Au、Ag、Cu等多種材料，還能實現3重金屬共沉積制備合金顆粒，同時可準確控制納米顆粒層厚度，實現從亞單層到三維納米孔的沉積效果。該設備解決了傳統磁控濺射在顆粒膜制備中粒徑和均勻性難以控制的問題，為生命科學中的ca癥診治藥物傳輸、石墨烯領域的電子器件研發、光伏領域的光子俘獲等多個方向的納米顆粒膜研究提供了可靠的制備工具。工業研發中，設備可實現小批量試產，為規模化生產提供工藝參數參考。納米顆粒沉積系統售后

振動碗設計搭配視線技術，保障粉末顆粒表面涂層均勻無死角。納米顆粒沉積系統售后

系統支持原位等離子體清洗功能，這是一個重要的預處理步驟。在沉積前，利用等離子體對粉末基底表面進行轟擊，可以有效去除吸附的污染物和雜質，顯著提高涂層與基底之間的結合力，改善涂層的均勻性與穩定性。此功能集成于同一真空腔內，避免了樣品在多個設備間轉移帶來的污染和氧化風險。

在催化研究領域，我們的沉積系統能夠精確制備高活性、高穩定性的模型催化劑與實用催化劑。研究人員可以利用納米顆粒源，將Pt、Pd、Ru等貴金屬或Ni、Cu等非貴金屬納米顆粒以可控的方式沉積到各種氧化物載體粉末或平面載體上，用于研究尺寸效應、載體效應以及金屬-載體相互作用。其無烴類、無污染的特性確保了催化活性中心的純凈，使得實驗數據更為可靠。 納米顆粒沉積系統售后

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