7、測試儀表內(nèi)阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如：肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標(biāo)準(zhǔn)T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA（ball grid array）用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可提高。梁溪區(qū)常見集成電路產(chǎn)品介紹

美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）無錫名優(yōu)集成電路市價小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

11、DSO（dual small out-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）集成電路雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業(yè)）會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。

MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會）標(biāo)準(zhǔn)對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路，他們都是數(shù)字集成電路。

42、QFJ（quad flat J-leaded package）四側(cè)J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈J字形。是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC（見PLCC），用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機芯片電路。引腳數(shù)從32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成電路四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。梁溪區(qū)本地集成電路工廠直銷

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。梁溪區(qū)常見集成電路產(chǎn)品介紹

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。梁溪區(qū)常見集成電路產(chǎn)品介紹

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