每一塊控制板均經過了嚴格的軟件測試、硬件老化，以確保工作穩定可靠。2.產品名稱：通用三相晶閘管數控觸發板3.產品型號：ZKD64.適用裝置:主要用于電解、電鍍、充電、直流電機調速（雙閉環）、直流穩壓穩流、電加熱、電磁鐵、交直流電焊機、交流穩壓穩流等晶閘管電源設備。名稱型號適用范圍通用可控整流ZKD6-TY適用于電解,電鍍,充電,穩流穩壓可控整流裝置調壓移相ZKD6-YX適用于三(單)相交流調壓或整流帶電阻,電感負載化工電解ZKD6-HG適用于化工,冶煉行業大電流可控整流裝置充放電ZKD6-CF適用于蓄電池充放電裝置直流電機調速ZKD6-TS適用于直流電機調速裝置發電機勵磁ZKD6-LC適用于同步電機勵磁裝置電動機勵磁ZKD6-TC適用于電動機勵磁裝置電動機軟啟動ZKD6-RC適用于交流電動機可控硅軟啟動裝置5.適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調壓，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路6.正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環境溫度：-40℃－+50℃。⑶空氣大相對濕度不超過90%(在相當于空氣溫度20±5℃)。淄博正高電氣以創百年企業、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創造更大利益！濟南單向可控硅調壓模塊哪家好

可控硅的首先參數有：1、額定通態均勻電流IT正在必然條件下，陽極---陰極間能夠持續通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發，陽極正向電壓還未超越導能電壓時，能夠反復加正在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅接受的正向電壓峰值，不克不及超越手冊給出的那個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷形態時，能夠反復加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不克不及超越手冊給出的那個參數值。4、觸發電壓VGT正在劃定的環境溫度下，陽極---陰極間加有必然電壓時，可控硅從關斷形態轉為導通形態所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉方式固定敷設在金屬板殼的內側，進水口和出水口分別從隔斷龍骨上的兩個穿管孔穿到金屬板殼的藏管區，然后分別從金屬板殼的穿管孔穿出金屬板殼的保溫板區內填充發泡類保溫材料，將水管固定在金屬板殼的內側，并且將金屬板殼、水管和鋁箔紙粘結成為一個整體5、維持電流IH正在劃定溫度下，控造極斷路，維持可控硅導通所必須的小陽極正向電流。很多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，能夠用正或負的觸發控造兩個標的目的導通的雙向可控硅。廣西大功率可控硅調壓模塊淄博正高電氣以精良的產品品質和優先的售后服務，全過程滿足客戶的需求。

三相可控硅觸發板是以高級工業級單片機為組成的全數字控制、數字觸發板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩定可靠。三相同步方案,定制可適應交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應不同性質負載，控制精度高，動態特性好。全數字觸發，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發,脈沖前沿陡度≤。功能、參數設定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數均為數字量，無溫度漂移變化，運行穩定、工作可靠。強抗干擾能力，采用獨特措施，惡劣干擾環境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應任何主電路，任何性質負載。手動、自動；穩流、穩壓；電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。ZKD6通用三相晶閘管數控板直接觸發六個10000A以內的晶閘管元件的設備，外接脈沖功放板，適應多于六個晶閘管元件的各種大型可控整流設備。具有完善故障、報警檢測和保護功能。實時檢測過流、過壓、反饋丟失、控制板內部故障。設有開機給定回零、軟啟動、截流、截壓、急停保護。調試簡便，數控板調試不用示波器和萬用表。

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G，紅表筆改接單向可控硅的陽極A，阻值應為無窮大，如下圖所示。對調兩表筆后，再測，阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接單向可控硅陽極A，紅表筆接單向可控硅陰極K，表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下（短接后馬上斷開）。淄博正高電氣產品質量好，收到廣大業主一致好評。

正高講：雙向可控硅模塊的工作象限，可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優勢是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個工作象限，在實際工作時只有兩個象限組合成一個完整的工作周期。組合如下：Ⅰ-Ⅲ、Ⅱ-Ⅲ、Ⅰ-Ⅳ，沒有Ⅰ-Ⅱ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅲ-Ⅳ組合同時根據G-T1和T2-T1的極性來判別工作象限。一般門極外接的電路是（1）RC+DB3此時雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限；（2）光電耦合器，此時雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限，特點：觸發信號的極性隨著主回路的交流電過零在變化。且極外接的是多腳集成塊（或再串小信號管），此時雙向可控硅模塊工作在Ⅰ-Ⅳ象限或者Ⅱ-Ⅲ象限，特點：觸發信號的極性不跟隨主回路的交流電過零而變化。由于雙向可控硅模塊自身特點，在應用時盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。淄博正高電氣交通便利，地理位置優越。廣西大功率可控硅調壓模塊

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使可控硅從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于可控硅的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為可控硅可以看作是由三個PN結組成。在可控硅處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當可控硅陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果可控硅在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，可控硅誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到可控硅上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保可控硅安全運行，常在可控硅兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞可控硅。同時，避免電容器通過可控硅放電電流過大，造成過電流而損壞可控硅。由于可控硅過流過壓能力很差。濟南單向可控硅調壓模塊哪家好

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