芯片損耗：觸發(fā)電路中的驅(qū)動芯片、控制單元中的MCU等，工作時會消耗電能，產(chǎn)生熱量，若芯片封裝散熱性能差，可能導(dǎo)致局部溫升過高，影響芯片性能。散熱條件決定了模塊產(chǎn)生的熱量能否及時散發(fā)到環(huán)境中，直接影響溫升的穩(wěn)定值。散熱條件越好，熱量散發(fā)越快，溫升越低；反之，散熱條件差，熱量累積，溫升升高。散熱系統(tǒng)設(shè)計模塊的散熱系統(tǒng)通常包括散熱片、散熱風(fēng)扇、導(dǎo)熱界面材料（如導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱墊）與散熱結(jié)構(gòu)（如液冷板），其設(shè)計合理性直接影響散熱效率：散熱片：散熱片的材質(zhì)（如鋁合金、銅）、表面積與結(jié)構(gòu)（如鰭片密度、高度）決定其散熱能力。淄博正高電氣智造產(chǎn)品，制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。菏澤單相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

短時過載（100ms-500ms）：隨著過載持續(xù)時間延長，熱量累積增加，允許的過載電流倍數(shù)降低。常規(guī)模塊的短時過載電流倍數(shù)通常為額定電流的2-3倍，高性能模塊可達(dá)3-4倍。以額定電流100A的模塊為例，在500ms過載時間內(nèi)，常規(guī)模塊可承受200A-300A的電流，高性能模塊可承受300A-400A的電流。這一等級的過載常見于負(fù)載短期波動（如工業(yè)加熱設(shè)備的溫度補(bǔ)償階段），模塊需在熱量累積至極限前恢復(fù)正常電流，避免結(jié)溫過高。較長時過載（500ms-1s）：該等級過載持續(xù)時間接近模塊熱容量的耐受極限，允許的過載電流倍數(shù)進(jìn)一步降低。寧夏大功率可控硅調(diào)壓模塊型號淄博正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢。

中等導(dǎo)通角（60°<α<120°）：導(dǎo)通區(qū)間逐漸擴(kuò)大，電流波形接近正弦波，諧波含量逐步降低。單相模塊α=90°時，3次諧波幅值降至基波的20%-30%，5次諧波降至10%-20%，7次諧波降至5%-15%；三相模塊的5次、7次諧波幅值降至基波的15%-25%。大導(dǎo)通角（α≥120°）：導(dǎo)通區(qū)間接近完整正弦波，電流波形畸變程度輕，諧波含量較低。單相模塊α=150°時，3次諧波幅值只為基波的5%-10%，5次諧波降至3%-8%，7次諧波降至1%-5%；三相模塊的5次、7次諧波幅值降至基波的5%-15%。

斬波控制（又稱脈沖寬度調(diào)制PWM控制）是通過高頻開關(guān)晶閘管，將交流電壓斬波為一系列脈沖電壓，通過調(diào)整脈沖的寬度與頻率，控制輸出電壓有效值的控制方式。與移相控制、過零控制不同，斬波控制需將交流電壓先整流為直流電壓，再通過晶閘管（或IGBT等全控器件）高頻斬波為脈沖直流，之后經(jīng)逆變電路轉(zhuǎn)換為可調(diào)壓的交流電壓，屬于“交-直-交”變換拓?fù)洹Ｆ渲攸c原理是：控制單元生成高頻PWM信號，控制斬波晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷時間，調(diào)整脈沖電壓的占空比（導(dǎo)通時間與周期的比值），占空比越大，輸出電壓有效值越高。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊。

小功率模塊（額定電流≤50A），小功率模塊通常采用小型封裝（如TO-220、TO-247），散熱片體積小，導(dǎo)熱路徑短，溫度差（芯片到外殼）較小（約15-20℃）。采用Si晶閘管的小功率模塊，外殼較高允許溫度通常為95℃-110℃，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境溫度25℃下，較高允許溫升為70℃-85℃；采用SiC晶閘管的模塊，外殼較高允許溫度為140℃-160℃，較高允許溫升為115℃-135℃。率模塊（額定電流50A-200A），率模塊采用較大封裝（如IGBT模塊封裝、定制金屬外殼），配備中等尺寸散熱片，溫度差（芯片到外殼）約20-25℃。Si晶閘管率模塊的外殼較高允許溫度為100℃-120℃，較高允許溫升為75℃-95℃；SiC晶閘管模塊的外殼較高允許溫度為150℃-170℃，較高允許溫升為125℃-145℃。淄博正高電氣品質(zhì)好、服務(wù)好、客戶滿意度高。菏澤單相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

淄博正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級。菏澤單相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

可控硅調(diào)壓模塊的過載能力本質(zhì)上是模塊內(nèi)部晶閘管的熱容量與電流耐受能力的綜合體現(xiàn)。晶閘管的導(dǎo)通過程中會產(chǎn)生功耗（包括導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗），功耗轉(zhuǎn)化為熱量使結(jié)溫升高。在正常工況下，模塊的散熱系統(tǒng)可將熱量及時散發(fā)，結(jié)溫維持在安全范圍（通常為 50℃-100℃）；在過載工況下，電流增大導(dǎo)致功耗急劇增加，結(jié)溫快速上升，若過載電流過大或持續(xù)時間過長，結(jié)溫會超出較高允許值，導(dǎo)致晶閘管的 PN 結(jié)損壞或觸發(fā)特性長久退化。因此，模塊的短期過載能力取決于兩個關(guān)鍵因素：一是晶閘管的熱容量（即器件吸收熱量而不超過較高結(jié)溫的能力），熱容量越大，短期過載耐受能力越強(qiáng)。菏澤單相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)