在單相交流電路中,兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管分別對(duì)應(yīng)電壓的正、負(fù)半周,控制單元根據(jù)調(diào)壓需求,在正半周內(nèi)延遲α角觸發(fā)其中一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,負(fù)半周內(nèi)延遲α角觸發(fā)另一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,使負(fù)載在每個(gè)半周內(nèi)只獲得部分電壓;在三相交流電路中,多個(gè)晶閘管(或雙向晶閘管)協(xié)同工作,每個(gè)相的晶閘管均按設(shè)定的觸發(fā)延遲角導(dǎo)通,通過調(diào)整各相的α角,實(shí)現(xiàn)三相輸出電壓的同步調(diào)節(jié)。觸發(fā)延遲角α的取值范圍通常為0°-180°,α=0°時(shí),晶閘管在電壓過零點(diǎn)立即導(dǎo)通,輸出電壓有效值接近輸入電壓;α=180°時(shí),晶閘管始終不導(dǎo)通,輸出電壓為0。淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。山東交流可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

從過載持續(xù)時(shí)間來看,過載能力可分為短期過載與長(zhǎng)期過載:短期過載指過載持續(xù)時(shí)間小于 1 秒的工況,此時(shí)模塊主要依靠器件自身的熱容量吸收熱量,無需依賴散熱系統(tǒng)的長(zhǎng)期散熱;長(zhǎng)期過載指過載持續(xù)時(shí)間超過 1 秒的工況,此時(shí)模塊需依賴散熱系統(tǒng)(如散熱片、風(fēng)扇)將熱量及時(shí)散發(fā),避免溫度持續(xù)升高。由于晶閘管的結(jié)溫上升速度快,長(zhǎng)期過載易導(dǎo)致結(jié)溫超出極限,因此可控硅調(diào)壓模塊的過載能力主要體現(xiàn)在短期過載場(chǎng)景,長(zhǎng)期過載通常需通過系統(tǒng)保護(hù)策略限制,而非依賴模塊自身耐受。陜西單向可控硅調(diào)壓模塊哪家好淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

線路損耗增大:根據(jù)焦耳定律,電流通過電阻產(chǎn)生的損耗與電流的平方成正比。可控硅調(diào)壓模塊產(chǎn)生的諧波電流會(huì)與基波電流疊加,使電網(wǎng)線路中的總電流有效值增大,進(jìn)而導(dǎo)致線路的有功損耗增加。例如,當(dāng) 3 次諧波電流含量為基波的 30% 時(shí),線路損耗會(huì)比純基波工況增加約 9%(不計(jì)其他高次諧波);若同時(shí)存在 5 次、7 次諧波,線路損耗的增加幅度會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。這種額外的線路損耗不只浪費(fèi)電能,還會(huì)導(dǎo)致線路溫度升高,加速線路絕緣層老化,縮短線路使用壽命。
與過零控制不同,通斷控制的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間通常較長(zhǎng)(如分鐘級(jí)、小時(shí)級(jí)),且不嚴(yán)格限制在電壓過零點(diǎn)動(dòng)作,因此在切換時(shí)刻可能產(chǎn)生較大的浪涌電流與電壓突變。通斷控制無需復(fù)雜的相位同步與高頻觸發(fā)電路,只需簡(jiǎn)單的時(shí)序控制即可實(shí)現(xiàn),電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,成本較低。通斷控制適用于對(duì)調(diào)壓精度與動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求極低的粗放型控制場(chǎng)景,如大型工業(yè)爐的預(yù)熱階段(只需粗略控制溫度上升速度)、路燈照明控制(只需簡(jiǎn)單的開關(guān)與定時(shí)調(diào)節(jié))、小型家用電器(如簡(jiǎn)易電暖器)等。這類場(chǎng)景中,負(fù)載對(duì)電壓波動(dòng)與沖擊的耐受能力較強(qiáng),且無需精細(xì)的功率調(diào)節(jié),通斷控制的低成本與simplicity可滿足基本需求。淄博正高電氣智造產(chǎn)品,制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。

正向壓降:晶閘管的正向壓降受器件材質(zhì)、芯片面積與溫度影響,正向壓降越大,導(dǎo)通損耗越高。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料(如SiC)的晶閘管,正向壓降比傳統(tǒng)Si晶閘管低20%-30%,導(dǎo)通損耗更小,溫升更低;芯片面積越大,電流密度越低,正向壓降越小,導(dǎo)通損耗也隨之降低。導(dǎo)通時(shí)間:在移相控制等方式中,導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)(導(dǎo)通角越小),晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)長(zhǎng)占比越高,累積的導(dǎo)通損耗越多,溫升越高。例如,導(dǎo)通角從30°(導(dǎo)通時(shí)間短)增至150°(導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng))時(shí),導(dǎo)通時(shí)間占比明顯增加,導(dǎo)通損耗累積量可能增加50%以上,溫升相應(yīng)升高。淄博正高電氣以誠(chéng)信為根本,以質(zhì)量服務(wù)求生存。河北恒壓可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)
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保護(hù)策略通過限制輸入電壓異常時(shí)的模塊運(yùn)行狀態(tài),間接影響適應(yīng)范圍:過壓保護(hù):當(dāng)輸入電壓超過上限(如額定電壓的115%)時(shí),過壓保護(hù)電路觸發(fā),切斷晶閘管觸發(fā)信號(hào)或限制導(dǎo)通角,防止器件過壓損壞,此時(shí)模塊雖停止正常調(diào)壓,但保護(hù)動(dòng)作閾值決定了輸入電壓的較大適應(yīng)上限。欠壓保護(hù):當(dāng)輸入電壓低于下限(如額定電壓的85%)時(shí),欠壓保護(hù)電路觸發(fā),避免模塊因電壓過低導(dǎo)致輸出功率不足或觸發(fā)失效,保護(hù)閾值決定輸入電壓的較小適應(yīng)下限。控制算法通過動(dòng)態(tài)調(diào)整導(dǎo)通角,擴(kuò)展輸入電壓適應(yīng)范圍:例如,在輸入電壓降低時(shí),控制算法自動(dòng)減小觸發(fā)延遲角(增大導(dǎo)通角),提升輸出電壓有效值,補(bǔ)償輸入電壓不足;在輸入電壓升高時(shí),增大觸發(fā)延遲角(減小導(dǎo)通角),降低輸出電壓有效值,抑制輸入電壓過高的影響。具備自適應(yīng)控制算法的模塊,輸入電壓適應(yīng)范圍可比固定控制算法的模塊擴(kuò)展10%-15%。山東交流可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)