Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性，定義上，載流子流出source，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色，這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。在設計電路時，合理選擇場效應管的型號和工作參數，以滿足電路要求。馬鞍山金屬半導體場效應管

場效應管主要參數：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。2、跨導，跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數。3、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流，較大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。結型場效應管哪家好場效應管的功耗較低，可以節省能源。

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。在連續導通模式下，MOSFET處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可。

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。總結場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發了。在進行場效應管電路調試時，應逐步調整柵極電壓，觀察輸出變化，以確保電路性能達到預期。

雪崩失效的預防措施，雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用，目前行業內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業的保修條款及電路關注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設計。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進行吸收。場效應管可通過控制柵極電壓來調節輸出電流，具有較好的線性特性。場效應管廠商

場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。馬鞍山金屬半導體場效應管

場效應管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長等優點，而且輸入回路的內阻特別高，噪聲低、熱穩定性好（因為幾乎只利用多子導電）、防輻射能力強以及省電等優點，幾乎場效應管占據的絕大部分市場。有利就有弊，而場效應管的放大倍數要小于雙極型晶體管的放大倍數（原因后續詳解）。根據制作主要工藝主要分為結型場效應管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS管)，下面來具體來看這兩種管子。場效應管(FET)基礎知識：名稱，場效應晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡稱場效應管。結型場效應管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導體場效應管 （metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導體器件。與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導體器件。馬鞍山金屬半導體場效應管

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