場效應管主要參數：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。避免將場效應管的柵極與其它電極短路，以免損壞器件。同時，注意防止靜電對場效應管造成損害。東莞多晶硅金場效應管制造

場效應管注意事項：（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MOS場效應管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放入塑料盒子內，保存時較好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮?；葜萁Y型場效應管加工選型場效應管時需考慮工作頻率、功率需求等因素。

現在的高清、液晶、等離子電視機中開關電源部分除了采用了PFC技術外，在元器件上的開關管均采用性能優異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結構、特性有著本質上的區別，所以在應用上，它的驅動電路比晶體三極管復雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。

VMOS場效應管，VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不只繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。場效應管具有較長的使用壽命，可靠性高，降低了設備的維護成本。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。場效應管（fet）是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在大規模和超大規模集成電路中被應用。場效應器件憑借其低功耗、性能穩定、抗輻射能力強等優勢，在集成電路中已經有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數已經內置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。場效應管的價格相對較低，適合大規模生產。珠海小噪音場效應管價格

場效應管的體積小，適合集成在微型電子設備中。東莞多晶硅金場效應管制造

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。東莞多晶硅金場效應管制造

深圳市南科功率半導體有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在廣東省等地區的電子元器件中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，深圳市南科功率半導體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！