在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發現了匪夷所思的事情那就是燈絲和銅片之間會有電流流過，而且加反向電壓的時候沒有電流流過！可是，銅片和燈絲之間沒有任何接觸，二者之間是真空！后來，人們把這種效應叫愛迪生效應。. 在電源管理中，穩壓二極管可提供穩定的電壓輸出。深圳有機發光二極管價位

二極管是由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。二極管的伏安特性，半導體二極管的主要是PN結，它的特性就是PN結的特性——單向導電性。常利用伏安特性曲線來形象地描述二極管的單向導電性。若以電壓為橫坐標，電流為縱坐標，用作圖法把電壓、電流的對應值用平滑的曲線連接起來，就構成二極管的伏安特性曲線，如下圖所示（圖中虛線為鍺管的伏安特性，實線為硅管的伏安特性）。半導體二極管廠家直銷部分特殊用途的二極管，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復的特點。

二極管的參數是正確使用二極管的依據，一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子參數。使用時，應特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓，否則將容易損壞管子。用數字表示同類型器件的不同型號用字母表示器件的類型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二極管，3表示三極管。普通二極管（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續流二極管）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。二極管的價格相對較低，使得二極管在電子制造中普遍應用。

半導體二極管的參數介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8V；鍺二極管約0.2～0.3V。3、動態電阻rd：反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數。顯然，rd與工作電流的大小有關，即：rd=△VD/△ID。4、極間電容CJ：二極管的極間電容包括勢壘電容和擴散電容，在高頻運用時必須考慮結電容的影響。二極管不同的工作狀態，其極間電容產生的影響效果也不同。正確安裝和調試二極管，可以確保電路的穩定運行和延長器件的使用壽命。佛山發光二極管

二極管的優勢在于其體積小、重量輕、功耗低，適用于各種電子設備中。深圳有機發光二極管價位

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅，二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。深圳有機發光二極管價位