如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。場效應管有三種類型，分別是MOSFET、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應用領域。無錫場效應管供應商

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。中山金屬半導體場效應管批發使用場效應管時，應注意其溫度特性，避免在高溫或低溫環境下使用影響其性能。

場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當的電壓時，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應管從截止區（Cutoff Region）過渡到飽和區（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應管處于關閉狀態，通道不導電；當VGS超過Vth時，通道形成，電流開始流動。

MOS管發熱情況有：1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。在選型場效應管時，需要考慮其工作溫度范圍、最大耗散功率和靜態特性等參數。

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式。無錫場效應管供應商

場效應管也可以用作開關，可以控制電路的通斷。無錫場效應管供應商

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應管能夠承受的較大電壓。超過這個電壓值可能會導致場效應管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關過程中的電荷存儲。無錫場效應管供應商