絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。圖2IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。昆山質量IGBT模塊量大從優

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。太倉使用IGBT模塊銷售廠家在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位。

IGBT電源模塊通過集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導電機制，實現低損耗高頻開關功能。其柵極電壓控制導通狀態，當施加正向電壓時形成導電溝道，集電極-發射極間呈現低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉換場景：1.工業控制：驅動交流電機調速系統，提升變頻器能效；2.電力交通：高鐵牽引變流器的**功率單元；3.新能源系統：光伏逆變器和風電變流裝置的功率調節模塊；4.智能電網：柔性直流輸電系統的電壓轉換節點 [1]。靜態特性伏安特性：反映導通狀態下電流與電壓關系轉移特性：描述柵極電壓對集電極電流的控制能力在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（pt結構）一6.5KV（npt結構），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。 [1]a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行長久性連接。  開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。蘇州應用IGBT模塊銷售廠家

通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。昆山質量IGBT模塊量大從優

2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取：昆山質量IGBT模塊量大從優

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