觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1，另一個(gè)叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。太倉質(zhì)量可控硅模塊哪里買

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。?1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。?姑蘇區(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。對(duì)于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào)，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會(huì)一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過零點(diǎn)到 來，因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止?fàn)顟B(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也 越大。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。

1、高壓晶閘管  2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管  3、采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件  4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度  半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同，可分為以下幾類：標(biāo)準(zhǔn)模塊，智能功率模塊（ipm），（集成）子系統(tǒng)。在ipm被***使用（尤其在亞洲地區(qū)）的同時(shí)，集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。  可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。江蘇智能可控硅模塊量大從優(yōu)

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；太倉質(zhì)量可控硅模塊哪里買

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí)，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多。太倉質(zhì)量可控硅模塊哪里買

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