深圳市嘉興南電科技有限公司2025-08-22

車規(guī)級二極管的反向恢復(fù)時間對電路效率有著影響，尤其是在高頻開關(guān)電路中（如新能源汽車 OBC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機控制器），嘉興南電科技通過優(yōu)化二極管芯片設(shè)計，大幅縮短反向恢復(fù)時間，有效提升電路效率。反向恢復(fù)時間（trr）是指二極管從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)為反向截止?fàn)顟B(tài)所需的時間，在此期間，二極管會產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，該電流會與電路中的電壓相互作用，產(chǎn)生開關(guān)損耗（也稱反向恢復(fù)損耗），反向恢復(fù)時間越長，反向恢復(fù)電流越大，開關(guān)損耗越高，電路效率越低。以新能源汽車 OBC 的 PFC 電路為例，若采用反向恢復(fù)時間為 500ns 的普通二極管，在高頻開關(guān)（如 100kHz）工況下，反向恢復(fù)損耗可占 PFC 電路總損耗的 30% 以上，導(dǎo)致 OBC 轉(zhuǎn)換效率下降 3%-5%；而嘉興南電的快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間控制在 50ns 以內(nèi)，反向恢復(fù)電流為普通二極管的 1/5，開關(guān)損耗可降低 70% 以上，使 OBC 轉(zhuǎn)換效率提升至 96% 以上。在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，反向恢復(fù)時間的影響同樣明顯，DC-DC 轉(zhuǎn)換器通常工作在更高的開關(guān)頻率（如 200kHz-500kHz），反向恢復(fù)時間過長會導(dǎo)致二極管與 MOSFET 的開關(guān)動作不同步，產(chǎn)生額外的交叉損耗，同時增加電路的電磁干擾（EMI）。嘉興南電的超快恢復(fù)二極管（反向恢復(fù)時間≤20ns）能精細(xì)匹配 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的高頻開關(guān)需求，減少交叉損耗與 EMI，使 DC-DC 轉(zhuǎn)換效率提升 2%-3%，同時降低電路散熱壓力，減少散熱系統(tǒng)的設(shè)計成本。此外，在電機控制器的逆變器電路中，二極管作為 IGBT 的續(xù)流二極管，反向恢復(fù)時間過長會導(dǎo)致 IGBT 開通時承受較大的電流沖擊，增加 IGBT 的開關(guān)損耗，甚至縮短 IGBT 壽命。嘉興南電針對電機控制器研發(fā)的續(xù)流二極管，反向恢復(fù)時間≤100ns，能與 IGBT 的開關(guān)速度精細(xì)匹配，減少 IGBT 的開通損耗，提升電機控制器的效率，同時保護(hù) IGBT 免受電流沖擊。值得注意的是，反向恢復(fù)時間并非越短越好，需根據(jù)電路開關(guān)頻率、電壓等級綜合匹配，嘉興南電在產(chǎn)品手冊中詳細(xì)標(biāo)注了不同型號二極管的反向恢復(fù)時間與對應(yīng)的比較好應(yīng)用頻率范圍，幫助客戶精細(xì)選型，同時提供定制化服務(wù)，可根據(jù)客戶電路的具體開關(guān)特性，調(diào)整芯片摻雜濃度與鈍化層工藝，研發(fā)反向恢復(fù)時間適配的車規(guī)級二極管，確保電路效率達(dá)到優(yōu)。?

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