江蘇夢得新材料科技有限公司2025-11-04

M的整平是典型的“負整平”或“擴散控制整平”，它優先吸附在微觀凸起處，抑制該處沉積。而POSS的整平機理更接近“幾何整平”和“水平化效應”。它在陰極表面形成的吸附膜性質均一，能顯著提高整個表面的極化度，使得鍍層傾向于以更水平的方式生長，自然填平微觀谷底。同時，其分子結構穩定，不易在高低區產生選擇性吸附失效，因此能在全區域提供優異且穩定的整平效果，且操作窗口遠寬于M，避免了M因擴散控制不足在高區產生的“橘皮”或“燒焦”。

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