濺射功率 1. 對(duì)沉積速率的影響：濺射功率增加，靶材表面受到的氬離子轟擊能量增強(qiáng)，濺射產(chǎn)額提高，從而使沉積速率加快。但當(dāng)濺射功率過高時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致靶材表面過熱，甚至出現(xiàn)靶材“中毒”現(xiàn)象，反而會(huì)影響沉積速率的穩(wěn)定性。 2. 對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響：低濺射功率下，濺射原子到達(dá)襯底的能量較低，原子的遷移能力較弱，薄膜的晶粒尺寸較小，可能形成多晶或非晶結(jié)構(gòu)；高濺射功率下，原子的能量較高，原子的遷移和擴(kuò)散能力增強(qiáng)，有利于晶粒的生長和結(jié)晶，薄膜可能呈現(xiàn)出較大的晶粒尺寸和較好的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。 3. 對(duì)薄膜應(yīng)力的影響：濺射功率的變化會(huì)改變薄膜的生長速率和微觀結(jié)構(gòu)，從而影響薄膜中的應(yīng)力狀態(tài)。一般來說，高濺射功率下沉積的薄膜應(yīng)力較大，這是因?yàn)榭焖俚某练e過程中，薄膜中的原子來不及充分調(diào)整位置，導(dǎo)致應(yīng)力積累。

靶基距 1. 對(duì)沉積速率的影響：靶基距過大，濺射原子在飛行過程中與氣體分子的碰撞次數(shù)增多，能量損失嚴(yán)重，到達(dá)襯底的濺射原子數(shù)量減少，沉積速率降低；靶基距過小，雖然濺射原子的能量損失較小，但由于濺射原子的分布過于集中，也會(huì)影響沉積速率的均勻性。 2. 對(duì)薄膜均勻性的影響：合適的靶基距能夠使濺射原子在襯底上均勻分布，從而形成均勻的薄膜。如果靶基距不均勻或不合適，會(huì)導(dǎo)致薄膜在不同位置的厚度和性能出現(xiàn)差異，影響薄膜的整體質(zhì)量。