國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致的光刻膠膜厚不均。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 60℃至 150℃，升溫速率 10℃/ 分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統(tǒng)，實時監(jiān)測晶圓表面溫度并動態(tài)調(diào)節(jié)。設(shè)備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機配套需求，與 ASML、尼康等設(shè)備的制程參數(shù)匹配，為光刻膠的軟烘、堅膜等關(guān)鍵步驟提供穩(wěn)定溫控環(huán)境。均勻熱場分布，避免局部過熱，保護(hù)敏感樣品工藝質(zhì)量。崇明區(qū)高精度均溫加熱盤定制

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現(xiàn) ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴(yán)苛要求。設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達(dá) 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業(yè)的深度合作，已實現(xiàn)與國產(chǎn) 12 英寸晶圓生產(chǎn)線的無縫對接，為先進(jìn)制程規(guī)模化生產(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐。普陀區(qū)晶圓級陶瓷加熱盤生產(chǎn)廠家大小功率齊全，靈活匹配實驗裝置與工業(yè)設(shè)備需求。

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工藝。內(nèi)部劃分 12 個**溫控區(qū)域，每個區(qū)域控溫精度達(dá) ±2℃，通過精細(xì)調(diào)節(jié)溫度梯度控制晶體生長速率，助力 8 英寸碳化硅襯底量產(chǎn)。設(shè)備配備石墨隔熱屏與真空密封結(jié)構(gòu)，在 10??Pa 真空環(huán)境下無雜質(zhì)釋放，與晶升股份等設(shè)備廠商聯(lián)合調(diào)試適配，使襯底生產(chǎn)成本較進(jìn)口方案降低 30% 以上，為新能源汽車、5G 通信等領(lǐng)域提供**材料支撐。

國瑞熱控深耕半導(dǎo)體加熱盤國產(chǎn)化研發(fā)，針對進(jìn)口設(shè)備的技術(shù)壁壘與供應(yīng)風(fēng)險，推出全套替代方案。方案涵蓋6英寸至12英寸不同規(guī)格加熱盤，材質(zhì)包括鋁合金、氮化鋁陶瓷等，可直接替換Kyocera、CoorsTek等國際品牌同型號產(chǎn)品，且在溫度均勻性、控溫精度等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到同等水平。通過與國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的聯(lián)合開發(fā)，實現(xiàn)加熱盤與國產(chǎn)設(shè)備的深度適配，解決進(jìn)口產(chǎn)品安裝調(diào)試復(fù)雜、售后服務(wù)滯后等問題。替代方案不僅在采購成本上較進(jìn)口產(chǎn)品降低30%以上，且交貨周期縮短至45天以內(nèi)，大幅提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。已為國內(nèi)多家半導(dǎo)體制造企業(yè)提供國產(chǎn)化替代服務(wù)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，推動國內(nèi)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。高精度溫控可達(dá)±1℃，滿足半導(dǎo)體等嚴(yán)苛工藝需求。

面向先進(jìn)封裝 Chiplet 技術(shù)需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯(lián)工藝。采用鋁合金與陶瓷復(fù)合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內(nèi)部采用微米級加熱絲布線，實現(xiàn) 1mm×1mm 精細(xì)溫控分區(qū)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 300℃，控溫精度 ±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環(huán)節(jié)。配備壓力與溫度協(xié)同控制系統(tǒng)，在鍵合過程中同步調(diào)節(jié)溫度與壓力參數(shù)，減少界面缺陷。與長電科技、通富微電等企業(yè)適配，支持 2.5D/3D 封裝架構(gòu)，為 AI 服務(wù)器等高算力場景提供高密度集成解決方案。專業(yè)熱仿真分析，優(yōu)化熱場分布設(shè)計，確保加熱效果均勻。山東晶圓加熱盤

工業(yè)級耐用加熱盤，耐腐蝕抗沖擊，適應(yīng)嚴(yán)苛工況環(huán)境。崇明區(qū)高精度均溫加熱盤定制

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩(wěn)定溫控助力摻雜濃度精細(xì)控制。其采用耐高溫合金基材，經(jīng)真空退火處理消除內(nèi)部應(yīng)力，可在 400℃高溫下長期穩(wěn)定運行而不變形。加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時具備優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，能快速將晶圓預(yù)熱至設(shè)定溫度并保持恒定。設(shè)備配備雙路溫度監(jiān)測系統(tǒng)，分別監(jiān)控加熱元件與晶圓表面溫度，當(dāng)出現(xiàn)偏差時自動啟動調(diào)節(jié)機制，溫度控制精度達(dá) ±1℃。適配不同型號離子注入機，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口實現(xiàn)快速安裝，為半導(dǎo)體摻雜工藝的穩(wěn)定性與重復(fù)性提供有力支持。崇明區(qū)高精度均溫加熱盤定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！