為降低半導體加熱盤的熱量損耗，國瑞熱控研發**隔熱組件，通過多層復合結構設計實現高效保溫。組件內層采用耐高溫隔熱棉，熱導率* 0.03W/(m?K)，可有效阻隔加熱盤向設備腔體的熱量傳遞；外層選用金屬防護殼，兼具結構強度與抗腐蝕性能，適配半導體潔凈車間環境。隔熱組件與加熱盤精細貼合，安裝拆卸便捷，不影響加熱盤的正常維護與更換。通過隔熱組件應用，可使加熱盤熱量利用率提升 15% 以上，降低設備整體能耗，同時減少設備腔體溫升，延長周邊部件使用壽命。適配國瑞全系列半導體加熱盤，且可根據客戶現有加熱盤尺寸定制，為半導體生產線的能耗優化提供實用解決方案。多重安全保護機制，過溫過載自動防護，讓您使用更安心放心。湖南晶圓鍵合加熱盤

針對車載半導體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標準。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達 30℃/ 分鐘，可模擬車載芯片在極端環境下的工作狀態。配備 100 組可編程溫度曲線，支持持續 1000 小時老化測試，與比亞迪半導體、英飛凌等企業適配，通過溫度沖擊、濕熱循環等可靠性驗證，為新能源汽車電控系統提供質量保障。涂膠顯影加熱盤專業研發團隊支持，持續創新改進，產品性能不斷提升。

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達 90%，升溫速率 25℃/ 分鐘，工作溫度范圍室溫至 500℃。設備具備 1000 小時無故障運行能力，通過國內主流客戶認證，可直接替換進口同類產品，在勻氣盤集成等場景中表現優異，助力半導體設備精密零部件國產化。

針對晶圓清洗后的烘干環節，國瑞熱控**加熱盤以潔凈高效的特性適配嚴苛需求。產品采用高純不銹鋼基材，表面經電解拋光與鈍化處理，粗糙度 Ra 小于 0.2μm，減少水分子附著與雜質殘留。加熱面采用蜂窩狀導熱結構，使熱量均勻分布，晶圓表面溫度差控制在 ±2℃以內，避免因局部過熱導致的晶圓翹曲。溫度調節范圍覆蓋 50℃至 150℃，支持階梯式升溫程序，適配不同清洗液的烘干需求。設備整體采用無死角結構設計，清潔時*需用高純酒精擦拭即可，符合半導體制造的高潔凈標準，為清洗后晶圓的干燥質量與后續工藝銜接提供保障。多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，安全可靠。

國瑞熱控針對氮化鎵外延生長工藝，開發**加熱盤適配 MOCVD 設備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數與藍寶石襯底匹配，避免襯底開裂風險，熱導率達 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內部設計 8 組**加熱模塊，通過 PID 精密控制實現 ±0.5℃的控溫精度，精細匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）。設備配備惰性氣體導流通道，減少反應氣體湍流導致的薄膜缺陷，與中微公司 MOCVD 設備聯合調試，使外延層厚度均勻性誤差控制在 3% 以內，為 5G 射頻器件、電力電子器件量產提供**溫控支持。緊湊設計節省空間，輸出熱量強大均勻，受限環境理想選擇。楊浦區加熱盤生產廠家

嚴格老化測試檢驗，確保產品零缺陷，品質保證。湖南晶圓鍵合加熱盤

針對 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控。產品采用多模塊拼接式結構，單模塊加熱面積可達 1500cm2，通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統，適配不同產能的生產線需求。每個模塊配備**溫控單元，通過**控制系統協同工作，確保整個加熱面溫度均勻性控制在 ±1.5℃以內。采用輕量化**度基材，在保證結構穩定性的同時降低設備重量，便于安裝與維護。表面經精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導損耗，為先進制程中大規模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案。湖南晶圓鍵合加熱盤

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