國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以99.5%高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與1800℃高溫燒結工藝制成，完美適配半導體高溫工藝需求！其熱導率可達220W/mK，熱膨脹系數*4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應力導致的晶圓翹曲！內部嵌入鎢制加熱元件，經共燒工藝實現緊密結合，加熱面溫度均勻性控制在±1℃以內，工作溫度上限提升至800℃，遠超傳統鋁合金加熱盤的450℃極限！表面經精密研磨拋光處理，平面度誤差小于0.01mm，可耐受等離子體長期轟擊無損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現穩定，為國產替代提供高性能材質解決方案！升溫迅速表面溫差小，過熱保護安全耐用，為設備護航。北京陶瓷加熱盤定制

國瑞熱控針對硒化銦等二維半導體材料制備需求，開發**加熱盤適配“固-液-固”相變生長工藝！采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內置銦原子蒸發溫控模塊，可精細控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩定在1:1！加熱面溫度均勻性控制在±0.5℃，升溫速率可低至0.5℃/分鐘，為非晶薄膜向高質量晶體轉化提供穩定熱環境！設備支持5厘米直徑晶圓級制備，配合惰性氣體保護系統，避免材料氧化，與北京大學等科研團隊合作驗證，助力高性能晶體管陣列構建，其電學性能指標可達3納米硅基芯片的3倍！長寧區晶圓鍵合加熱盤專業定制加熱盤，快速升溫壽命長，滿足半導體醫療科研需求。

國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級！采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低20%以上！改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設備的40%！升級后的加熱盤溫度響應速度提升30%，溫度波動控制在±1℃以內，符合半導體行業節能標準！已為華虹半導體等企業完成200余臺設備改造，年節約電費超百萬元，助力半導體工廠實現綠色生產轉型！

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題！產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷！加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量快速傳導至晶圓背面，溫度響應時間縮短至10秒以內！支持溫度階梯式調節功能，可根據刻蝕深度需求設定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場景！設備整體符合半導體潔凈車間Class1標準，拆卸維護無需特殊工具，大幅降低生產線停機時間！模塊化設計便于維護更換，減少停機時間，提升產能。

國瑞熱控推出半導體加熱盤**溫度監控軟件，實現加熱過程的數字化管理與精細控制！軟件具備實時溫度顯示功能，可通過圖表直觀呈現加熱盤各區域溫度變化曲線，支持多臺加熱盤同時監控，方便生產線集中管理！內置溫度數據存儲與導出功能，可自動記錄加熱過程中的溫度參數，存儲時間長達1年，便于工藝追溯與質量分析！具備溫度異常報警功能，當加熱盤溫度超出設定范圍或出現波動異常時，自動發出聲光報警并記錄異常信息，提醒操作人員及時處理！軟件兼容Windows與Linux操作系統，通過以太網與加熱盤控制系統連接，安裝調試便捷，適配國瑞全系列半導體加熱盤，為半導體生產線的智能化管理提供技術支持！表面特殊處理工藝，耐腐蝕易清潔，適用于各種復雜工作環境。奉賢區晶圓鍵合加熱盤廠家

表面特殊處理，耐腐蝕易清潔，適用化學食品領域。北京陶瓷加熱盤定制

國瑞熱控針對離子注入后雜質***工藝，開發**加熱盤適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導率達200W/mK，熱慣性小，升溫速率達60℃/秒，可在幾秒內將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達40℃/秒，減少熱預算對晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實現晶圓正反面溫度均勻（溫差小于2℃）！配備紅外高溫計實時監測晶圓表面溫度，測溫精度±2℃，通過PID控制確保溫度穩定，適配硼、磷等不同雜質的***溫度需求（600℃-1100℃）！與應用材料離子注入機適配，使雜質***率提升至95%以上，為半導體器件的電學性能調控提供關鍵支持！北京陶瓷加熱盤定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司匯集了大量的優秀人才，集企業奇思，創經濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創新天地，繪畫新藍圖，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業的方向，質量是企業的生命，在公司有效方針的領導下，全體上下，團結一致，共同進退，**協力把各方面工作做得更好，努力開創工作的新局面，公司的新高度，未來無錫市國瑞熱控科技供應和您一起奔向更美好的未來，即使現在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結經驗，才能繼續上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！