面向半導體熱壓鍵合工藝,國瑞熱控**加熱盤以溫度與壓力協同控制提升鍵合質量。采用陶瓷加熱芯與銅合金散熱基體復合結構,加熱面平面度誤差小于 0.005mm,確保鍵合區域壓力均勻傳遞。溫度調節范圍室溫至 400℃,升溫速率達 40℃/ 秒,可快速達到鍵合溫度并保持穩定(溫度波動 ±0.5℃),適配金 - 金、銅 - 銅等不同金屬鍵合工藝。配備壓力傳感器與位移監測模塊,實時反饋鍵合過程中的壓力變化與芯片位移,通過閉環控制實現壓力(0.1-10MPa)與溫度的精細匹配。與 ASM 太平洋鍵合設備適配,使鍵合界面電阻降低至 5mΩ 以下,為高可靠性芯片互聯提供保障。多種規格靈活定制,國瑞加熱盤滿足您的特殊應用需求。普陀區半導體晶圓加熱盤非標定制

針對碳化硅襯底生長的高溫需求,國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區布局技術,**溫度梯度可控性差的行業難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材,表面噴涂碳化硅涂層,在 2200℃高溫下仍保持結構穩定,熱導率達 180W/mK,適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工藝。內部劃分 12 個**溫控區域,每個區域控溫精度達 ±2℃,通過精細調節溫度梯度控制晶體生長速率,助力 8 英寸碳化硅襯底量產。設備配備石墨隔熱屏與真空密封結構,在 10??Pa 真空環境下無雜質釋放,與晶升股份等設備廠商聯合調試適配,使襯底生產成本較進口方案降低 30% 以上,為新能源汽車、5G 通信等領域提供**材料支撐。普陀區半導體晶圓加熱盤非標定制升溫迅速表面溫差小,過熱保護安全耐用,為設備護航。

國瑞熱控半導體加熱盤**散熱系統,為設備快速降溫與溫度穩定提供有力支持。系統采用水冷與風冷復合散熱方式,水冷通道圍繞加熱盤均勻分布,配合高轉速散熱風扇,可在 10 分鐘內將加熱盤溫度從 500℃降至室溫,大幅縮短工藝間隔時間。散熱系統配備智能溫控閥,根據加熱盤實時溫度自動調節水流量與風扇轉速,避免過度散熱導致的能耗浪費。采用耐腐蝕管路與密封件,在長期使用過程中無漏水風險,且具備壓力監測與報警功能,確保系統運行安全。適配高溫工藝后的快速降溫需求,與國瑞加熱盤協同工作,形成完整的溫度控制閉環,為半導體制造中多工藝環節的連續生產提供保障。
針對半導體制造中的高真空工藝需求,國瑞熱控開發**真空密封組件,確保加熱盤在真空環境下穩定運行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復合結構,耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃,可長期在 10??Pa 真空環境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細匹配,通過多道密封設計提升真空密封性,避免反應腔體內真空度下降影響工藝質量。組件安裝過程簡單,無需特殊工具,且具備良好的耐磨性與抗老化性能,使用壽命超 5000 次拆裝循環。適配 CVD、PVD 等真空工藝用加熱盤,與國產真空設備廠商的反應腔體兼容,為半導體制造中的高真空環境提供可靠密封保障,助力提升工藝穩定性與產品良率。結構緊湊安裝便捷,集成多重安全保護機制,使用放心無后顧之憂。

國瑞熱控推出半導體加熱盤**溫度監控軟件,實現加熱過程的數字化管理與精細控制。軟件具備實時溫度顯示功能,可通過圖表直觀呈現加熱盤各區域溫度變化曲線,支持多臺加熱盤同時監控,方便生產線集中管理。內置溫度數據存儲與導出功能,可自動記錄加熱過程中的溫度參數,存儲時間長達 1 年,便于工藝追溯與質量分析。具備溫度異常報警功能,當加熱盤溫度超出設定范圍或出現波動異常時,自動發出聲光報警并記錄異常信息,提醒操作人員及時處理。軟件兼容 Windows 與 Linux 操作系統,通過以太網與加熱盤控制系統連接,安裝調試便捷,適配國瑞全系列半導體加熱盤,為半導體生產線的智能化管理提供技術支持。表面特殊處理工藝,耐腐蝕易清潔,適用于各種復雜工作環境。常州晶圓鍵合加熱盤
工業級耐用加熱盤,耐腐蝕抗沖擊,適應嚴苛工況環境。普陀區半導體晶圓加熱盤非標定制
為降低半導體加熱盤的熱量損耗,國瑞熱控研發**隔熱組件,通過多層復合結構設計實現高效保溫!組件內層采用耐高溫隔熱棉,熱導率*0.03W/(m?K),可有效阻隔加熱盤向設備腔體的熱量傳遞;外層選用金屬防護殼,兼具結構強度與抗腐蝕性能,適配半導體潔凈車間環境!隔熱組件與加熱盤精細貼合,安裝拆卸便捷,不影響加熱盤的正常維護與更換!通過隔熱組件應用,可使加熱盤熱量利用率提升15%以上,降低設備整體能耗,同時減少設備腔體溫升,延長周邊部件使用壽命!適配國瑞全系列半導體加熱盤,且可根據客戶現有加熱盤尺寸定制,為半導體生產線的能耗優化提供實用解決方案!普陀區半導體晶圓加熱盤非標定制
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