國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級！采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低20%以上！改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設備的40%！升級后的加熱盤溫度響應速度提升30%，溫度波動控制在±1℃以內，符合半導體行業節能標準！已為華虹半導體等企業完成200余臺設備改造，年節約電費超百萬元，助力半導體工廠實現綠色生產轉型！研發團隊持續探索，新材料新工藝，效能不斷提升。上海晶圓加熱盤供應商

針對半導體晶圓研磨后的應力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩定。采用鋁合金基體與柔性導熱墊層復合結構，導熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調節范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫 5℃-10℃，保溫 10-30 分鐘），緩慢釋放晶圓內部機械應力。配備氮氣保護系統，避免加熱過程中晶圓表面氧化，且加熱盤表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒劃傷晶圓風險。與硅產業集團、中環股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低 20% 以上，提升后續光刻、刻蝕工藝的良率。青浦區晶圓加熱盤生產廠家優化散熱結構設計，表面溫度均勻一致，避免局部過熱現象。

針對化學氣相沉積工藝的復雜反應環境，國瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術創新**溫控難題。加熱盤內置多區域**溫控模塊，可根據反應腔不同區域需求實現差異化控溫，溫度調節范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結構設計，能耐受反應腔內部腐蝕性氣體侵蝕，同時具備 1500V/1min 的電氣強度，無擊穿閃絡風險。搭配高精度鉑電阻傳感器，實時測溫精度達 ±0.5℃，通過 PID 閉環控制確保溫度波動小于 ±1℃，為晶圓表面材料的均勻沉積與性能穩定提供關鍵保障，適配集成電路制造的規?；a需求。

針對12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控！產品采用多模塊拼接式結構，單模塊加熱面積可達1500cm2，通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統，適配不同產能的生產線需求！每個模塊配備**溫控單元，通過**控制系統協同工作，確保整個加熱面溫度均勻性控制在±1.5℃以內！采用輕量化**度基材，在保證結構穩定性的同時降低設備重量，便于安裝與維護！表面經精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導損耗，為先進制程中大規模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案！模塊化設計理念，維護更換簡單快捷，大幅降低運維成本。

面向先進封裝Chiplet技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝！采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻！內部采用微米級加熱絲布線，實現1mm×1mm精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至300℃，控溫精度±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節！配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷！與長電科技、通富微電等企業適配，支持2.5D/3D封裝架構，為AI服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案！獨特加熱元件設計，熱效率高節能環保，穩定安全。常州高精度均溫加熱盤

表面硬度強化處理，耐磨耐刮擦，保持長期美觀實用。上海晶圓加熱盤供應商

面向半導體實驗室研發場景，國瑞熱控小型加熱盤以高精度與靈活性成為科研得力助手！產品尺寸可定制至10cm×10cm，適配小規格晶圓與實驗樣本的加熱需求，溫度調節范圍覆蓋室溫至500℃，**小調節精度達1℃！采用陶瓷加熱元件與鉑電阻傳感器組合，控溫穩定性達±0.5℃，滿足材料研發中對溫度參數的精細控制！設備支持USB數據導出功能，可實時記錄溫度變化曲線，便于實驗數據追溯與分析！整體采用便攜式設計，重量*1.5kg，且具備過熱保護功能，當溫度超過設定閾值時自動斷電，為半導體新材料研發、工藝參數優化等實驗工作提供可靠溫控工具！上海晶圓加熱盤供應商

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