針對半導體晶圓研磨后的應力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩定！采用鋁合金基體與柔性導熱墊層復合結構，導熱墊層硬度ShoreA30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞！溫度調節范圍30℃-150℃，控溫精度±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫5℃-10℃，保溫10-30分鐘），緩慢釋放晶圓內部機械應力！配備氮氣保護系統，避免加熱過程中晶圓表面氧化，且加熱盤表面粗糙度Ra小于0.05μm，無顆粒劃傷晶圓風險！與硅產業集團、中環股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低20%以上，提升后續光刻、刻蝕工藝的良率！模塊化設計便于維護更換，減少停機時間，提升產能。徐匯區晶圓加熱盤非標定制

國瑞熱控高真空半導體加熱盤，專為半導體精密制造的真空環境設計，實現無污染加熱解決方案！產品采用特殊密封結構與高純材質制造，所有部件均經過真空除氣處理，在10??Pa高真空環境下無揮發性物質釋放，避免污染晶圓表面！加熱元件采用嵌入式設計，與基材緊密結合，熱量傳遞損耗降低30%，熱效率***提升！通過內部溫度場模擬優化，加熱面均溫性達±1℃，適配光學器件鍍膜、半導體晶圓加工等潔凈度要求嚴苛的場景！設備可耐受反復升溫降溫循環，在-50℃至500℃溫度區間內結構穩定，為高真空環境下的精密制造提供符合潔凈標準的溫控保障！金山區半導體晶圓加熱盤廠家表面噴涂特殊涂層，防腐防氧化，延長設備使用壽命。

國瑞熱控針對氮化鎵外延生長工藝，開發**加熱盤適配MOCVD設備需求！采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在1200℃高溫下熱膨脹系數與藍寶石襯底匹配，避免襯底開裂風險，熱導率達150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面！內部設計8組**加熱模塊，通過PID精密控制實現±0.5℃的控溫精度，精細匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）！設備配備惰性氣體導流通道，減少反應氣體湍流導致的薄膜缺陷，與中微公司MOCVD設備聯合調試，使外延層厚度均勻性誤差控制在3%以內，為5G射頻器件、電力電子器件量產提供**溫控支持！

針對等離子體刻蝕環境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構，表面硬度達莫氏9級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落！加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲，經后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1℃！底部設計環形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調節系統，快速響應刻蝕過程中的溫度波動！設備采用全密封結構，電氣強度達2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環境中絕緣性能穩定，適配中微半導體刻蝕機等主流設備，為圖形轉移工藝提供可靠溫控！專業研發團隊支持，持續創新改進，產品性能不斷提升。

依托強大的研發與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導體加熱盤定制服務，滿足特殊工藝與設備的個性化需求！可根據客戶提供的圖紙與參數，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋4英寸至18英寸晶圓規格！材質可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設定！通過三維建模與溫度場仿真優化設計方案，原型樣品交付周期縮短至15個工作日，批量生產前提供2臺樣品進行工藝驗證！已為長鑫存儲、華虹半導體等企業定制**加熱盤，適配其自主研發設備，助力國產半導體設備產業鏈完善！結構緊湊安裝便捷，集成多重安全保護機制，使用放心無后顧之憂。徐州晶圓加熱盤定制

專業定制加熱盤，快速升溫壽命長，滿足半導體醫療科研需求。徐匯區晶圓加熱盤非標定制

面向半導體新材料研發場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩定性成為科研工具！采用石墨與碳化硅復合基材，工作溫度范圍覆蓋500℃-2000℃，可通過程序設定實現階梯式升溫，升溫速率調節范圍0.1-10℃/分鐘！加熱面配備24組測溫點，實時監測溫度分布，數據采樣頻率達10Hz，支持與實驗室數據系統對接！設備體積緊湊（直徑30cm），重量*5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實驗需求，已服務于中科院半導體所等科研機構！徐匯區晶圓加熱盤非標定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，無錫市國瑞熱控科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！