國瑞熱控深耕半導體加熱盤國產化研發,針對進口設備的技術壁壘與供應風險,推出全套替代方案。方案涵蓋6英寸至12英寸不同規格加熱盤,材質包括鋁合金、氮化鋁陶瓷等,可直接替換Kyocera、CoorsTek等國際品牌同型號產品,且在溫度均勻性、控溫精度等關鍵指標上達...
針對等離子體刻蝕環境的特殊性,國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構,表面硬度達莫氏 9 級,可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲,經后嵌工藝固定,避免高溫下電極氧化影響加熱性能,工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃,控溫精...
借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理,國瑞熱控開發半導體激光加熱盤,適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層,表面可承受 3000℃以上局部高溫,配合半導體激光與二氧化碳激光協同加熱,實現 “表面強攻 + 內部滲透” 的加熱效果。加熱區域直徑可在...
國瑞熱控建立半導體加熱盤全生命周期服務體系,為客戶提供從選型咨詢到報廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢,結合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案;售中提供安裝調試指導,確保加熱盤與設備精細對接,且提供操作培訓服務;售后提供7×24小時技術支持,設備故障響應...
國瑞熱控針對半導體量子點制備需求,開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝。采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構,耐有機溶劑腐蝕,且無金屬離子溶出污染量子點溶液。內置高精度溫度傳感器,測溫精度達 ±0.1℃,溫度調節范圍 25℃-300℃,支持 0.1℃/...
國瑞熱控建立半導體加熱盤全生命周期服務體系,為客戶提供從選型咨詢到報廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢,結合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案;售中提供安裝調試指導,確保加熱盤與設備精細對接,且提供操作培訓服務;售后提供7×24小時技術支持,設備故障響應...
國瑞熱控針對離子注入后雜質***工藝,開發**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材,熱導率達 200W/mK,熱慣性小,升溫速率達 60℃/ 秒,可在幾秒內將晶圓加熱至 1000℃,且降溫速率達 40℃/ 秒,減少熱預算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔...
國瑞熱控半導體加熱盤**散熱系統,為設備快速降溫與溫度穩定提供有力支持。系統采用水冷與風冷復合散熱方式,水冷通道圍繞加熱盤均勻分布,配合高轉速散熱風扇,可在 10 分鐘內將加熱盤溫度從 500℃降至室溫,大幅縮短工藝間隔時間。散熱系統配備智能溫控閥,根據加熱盤...
針對半導體退火工藝中對溫度穩定性的高要求,國瑞熱控退火**加熱盤采用紅外加熱與電阻加熱協同技術,實現均勻且快速的溫度傳遞。加熱盤主體選用低熱慣性的氮化硅陶瓷材質,熱導率達 30W/mK,可在 30 秒內將晶圓溫度提升至 900℃,且降溫過程平穩可控,避免因溫度...
國瑞熱控 12 英寸半導體加熱盤專為先進制程量產需求設計,采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材,通過多道精密研磨工藝,使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內,完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內部采用分區式加熱元件布局,劃分 8 個**溫控區域,配合高精度鉑...