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針對半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定。采用鋁合金基體與柔性導(dǎo)熱墊層復(fù)合結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支...

面向先進(jìn)封裝 Chiplet 技術(shù)需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯(lián)工藝。采用鋁合金與陶瓷復(fù)合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時(shí)受熱均勻。內(nèi)部采用微米級加熱絲布線，實(shí)現(xiàn) 1mm×1mm 精細(xì)溫控分區(qū)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至...

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個(gè)**溫控區(qū)域，配合高精度鉑...

國瑞熱控高真空半導(dǎo)體加熱盤，專為半導(dǎo)體精密制造的真空環(huán)境設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無污染加熱解決方案。產(chǎn)品采用特殊密封結(jié)構(gòu)與高純材質(zhì)制造，所有部件均經(jīng)過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環(huán)境下無揮發(fā)性物質(zhì)釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設(shè)計(jì)，與基材緊密結(jié)合，熱量...

國瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、...

針對等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精...

國瑞熱控建立半導(dǎo)體加熱盤全生命周期服務(wù)體系，為客戶提供從選型咨詢到報(bào)廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢，結(jié)合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案；售中提供安裝調(diào)試指導(dǎo)，確保加熱盤與設(shè)備精細(xì)對接，且提供操作培訓(xùn)服務(wù)；售后提供7×24小時(shí)技術(shù)支持，設(shè)備故障響應(yīng)...

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個(gè)**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致...

面向先進(jìn)封裝 Chiplet 技術(shù)需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯(lián)工藝。采用鋁合金與陶瓷復(fù)合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時(shí)受熱均勻。內(nèi)部采用微米級加熱絲布線，實(shí)現(xiàn) 1mm×1mm 精細(xì)溫控分區(qū)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至...

依托強(qiáng)大的研發(fā)與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導(dǎo)體加熱盤定制服務(wù)，滿足特殊工藝與設(shè)備的個(gè)性化需求。可根據(jù)客戶提供的圖紙與參數(shù)，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋 4 英寸至 18 英寸晶圓規(guī)格。材質(zhì)可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支...

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工...

面向先進(jìn)封裝 Chiplet 技術(shù)需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯(lián)工藝。采用鋁合金與陶瓷復(fù)合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時(shí)受熱均勻。內(nèi)部采用微米級加熱絲布線，實(shí)現(xiàn) 1mm×1mm 精細(xì)溫控分區(qū)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至...

針對車載半導(dǎo)體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環(huán)測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達(dá) 30℃...

國瑞熱控半導(dǎo)體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環(huán)節(jié)的溫度環(huán)境模擬設(shè)計(jì)，可精細(xì)復(fù)現(xiàn)芯片工作時(shí)的溫度條件。設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達(dá) 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導(dǎo)...

國瑞熱控推出半導(dǎo)體加熱盤專項(xiàng)維修服務(wù)，針對加熱元件老化、溫度均勻性下降等常見問題提供系統(tǒng)解決方案。服務(wù)流程涵蓋外觀檢測、絕緣性能測試、溫度場掃描等 12 項(xiàng)檢測項(xiàng)目，精細(xì)定位故障點(diǎn)。采用原廠匹配的氮化鋁陶瓷基材與加熱元件，維修后的加熱盤溫度均勻性恢復(fù)至 ±1℃...

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。...

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá) ±1.5℃...

國瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、...

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...

國瑞熱控半導(dǎo)體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環(huán)節(jié)的溫度環(huán)境模擬設(shè)計(jì)，可精細(xì)復(fù)現(xiàn)芯片工作時(shí)的溫度條件。設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達(dá) 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導(dǎo)...

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工...

國瑞熱控針對離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá) 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá) 60℃/ 秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達(dá) 40℃/ 秒，減少熱預(yù)算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔...

國瑞熱控推出半導(dǎo)體加熱盤專項(xiàng)維修服務(wù)，針對加熱元件老化、溫度均勻性下降等常見問題提供系統(tǒng)解決方案。服務(wù)流程涵蓋外觀檢測、絕緣性能測試、溫度場掃描等 12 項(xiàng)檢測項(xiàng)目，精細(xì)定位故障點(diǎn)。采用原廠匹配的氮化鋁陶瓷基材與加熱元件，維修后的加熱盤溫度均勻性恢復(fù)至 ±1℃...

針對車載半導(dǎo)體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環(huán)測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達(dá) 30℃...

國瑞熱控半導(dǎo)體封裝加熱盤，聚焦芯片封裝環(huán)節(jié)的加熱需求，為鍵合、塑封等工藝提供穩(wěn)定熱源。采用鋁合金與云母復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼具輕質(zhì)特性與優(yōu)良絕緣性能，加熱面功率密度可根據(jù)封裝規(guī)格調(diào)整，比較高達(dá) 2W/CM2。通過優(yōu)化加熱元件排布，使封裝區(qū)域溫度均勻性達(dá) 95% 以上，確...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...

針對半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕。加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠。通過底部加熱...