這就是初期集成電路的構想，晶體管的發明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發明后，很快就出現了基于半導體的集成電路的構想，也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和集成電路。無錫節能集成電路廠家現貨

21、JLCC（J-leaded chip carrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。22、LCC（Leadless chip carrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。23、LGA（land grid array）觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點（1.27mm中心距）和447觸點（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。江陰本地集成電路市價雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。QFI的別稱（見QFI），在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。

按外形分集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。集成電路發展歷史中國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：1965年-1978年：以計算機和**配套為目標，以開發邏輯電路為主要產品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應用內熱式25W左右。濱湖區標準集成電路生產廠家

2025年將持續推進集成電路領域標準研制。無錫節能集成電路廠家現貨

——這是集成電路的布局，模擬電路和數字電路分開，處理小信號的敏感電路與翻轉頻繁的控制邏輯分開，電源單獨放在一角。每層樓的房間布局不一樣，走廊也不一樣，有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設計，低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結構的晶體管來減小結面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達，為了效率和功能隔離，還可能有多部電梯，每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線，電源線、地線單獨走線，負載大的線也寬；時鐘與信號分開；每層之間布線垂直避免干擾；CPU與存儲之間的高速總線，相當于電梯，各層之間的通孔相當于電梯間……無錫節能集成電路廠家現貨

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