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若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個關(guān)斷條件:1) 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向。可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發(fā)信號,則一直保持導(dǎo)通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降,很難有統(tǒng)一的標準。可控硅器件控制本質(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。相城區(qū)使用可控硅模塊工廠直銷

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。蘇州使用可控硅模塊銷售廠家使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發(fā)信號,雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,但由于負信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實際使用時,負觸發(fā)方式應(yīng)用較多。
若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,重復(fù)上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞 [2]。對可控硅的引腳區(qū)分,有的可從外形封裝加以判別,如外殼就為陽極,陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,可用萬用表R×100或R×1K擋,測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,當萬用表指示低阻值(幾百歐至幾千歐的范圍)時,黑表筆所接的是控制極G,紅表筆所接的是陰極K,余下的一只管腳為陽極A。晶閘管導(dǎo)通后,松開按鈕開關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。相城區(qū)新型可控硅模塊量大從優(yōu)
額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。相城區(qū)使用可控硅模塊工廠直銷
可控硅導(dǎo)通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,可控硅一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由**外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。相城區(qū)使用可控硅模塊工廠直銷
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