RPS遠程等離子源在先進封裝中的解決方案針對2.5D/3D封裝中的硅通孔（TSV）工藝，RPS遠程等離子源提供了完整的清洗方案。在深硅刻蝕后，采用SF6/O2遠程等離子體去除側壁鈍化層，同時保持銅導線的完整性。在芯片堆疊鍵合前，通過H2/N2遠程等離子體處理，將晶圓表面氧含量降至0.5at%以下，明顯 改善了銅-銅鍵合強度。某封測廠應用數據顯示，RPS遠程等離子源將TSV結構的接觸電阻波動范圍從±15%收窄至±5%。RPS遠程等離子源在MEMS器件釋放工藝中的突破MEMS器件無償 層釋放是制造過程中的關鍵挑戰。RPS遠程等離子源采用交替脈沖模式，先通過CF4/O2遠程等離子體刻蝕氧化硅無償 層，再采用H2/N2遠程等離子體鈍化結構層。這種時序控制將結構粘附發生率從傳統工藝的12%降至0.5%以下。在慣性傳感器制造中，RPS遠程等離子源實現了200:1的高深寬比結構釋放，確保了微機械結構的運動自由度。遠程等離子體源RPS的主要優點在于它可以實現對表面的均勻處理，因此減少了對表面的熱和化學損傷。海南國內RPS電源

RPS遠程等離子源采用獨特的空間分離設計，將等離子體激發區與工藝處理區物理隔離。在激發腔內通過射頻電源將工藝氣體（如O2、CF4、N2等）電離形成高密度等離子體，而長壽命的活性自由基則通過輸運系統進入反應腔室。這種設計使得RPS遠程等離子源能夠在不直接接觸工件的情況下，實現表面清洗、刻蝕和活化等工藝。在半導體前端制造中，RPS遠程等離子源特別適用于柵極氧化前的晶圓清洗，能有效去除有機殘留和金屬污染物，同時避免柵氧層損傷。其自由基濃度可穩定控制在1010-1012/cm3范圍，確保工藝重復性優于±2%。安徽國內RPS常用知識遠程等離子體源RPS腔體結構，包括進氣口，點火口。

晟鼎RPS遠程等離子體源產品特性：01.duli的原子發生器；02.電感耦合等離子體技術；03集成的電子控制及電源系統，實現了功率自適應調節；04內循環強制風冷散熱+水冷散熱，極大程度避免環境污染內部元器件；05.輸入電檢測，避免設備工作于異常交流輸入電壓；06.配置了模擬總線控制接口；07.先進的表面處理工藝保證了腔體長時間穩定的運行；08.簡化的工作模式方便了用戶的使用；06.氣體解離率高，效果可媲美進口設備。主動網絡匹配技術:可對不同氣體進行阻抗匹配，使得等離子腔室獲得大能量。

對于GaN、SiC等化合物半導體和MEMS傳感器等精密器件，傳統的等離子體工藝因其高能離子轟擊和熱效應容易造成器件性能的不可逆損傷。RPS遠程等離子源應用領域在此提供了低損傷、高精度的解決方案。在GaN HEMT器件的制造中，RPS可用于柵極凹槽的刻蝕預處理或刻蝕后殘留物的清理 ，其低離子能量特性確保了AlGaN勢壘層和二維電子氣（2DEG）不受損傷，從而維持了器件的高跨導和頻率特性。在MEMS制造中，關鍵的步驟是層的釋放，以形成可活動的微結構。RPS遠程等離子源能夠使用氟基或氧基自由基，溫和且均勻地刻蝕掉結構下方的氧化硅或聚合物層，避免了因“粘附效應”（Stiction）導致的結構坍塌，極大地提升了MEMS陀螺儀、加速度計和麥克風的良品率和可靠性。在石墨烯器件制備中實現無損轉移。

遠程等離子體源RPS腔體結構，包括進氣口，點火口，回流腔連通電離腔頂端與進氣腔靠近進氣口一側頂部，氣體由進氣口進入經過進氣腔到達電離腔，點火發生電離反應生成氬離子然后通入工藝氣體，通過出氣口排出至反應室內，部分電離氣體經回流腔流至進氣腔內，提高腔體內部電離程度，以便于維持工藝氣體的電離，同時可提高原子離化率；電離腔的口徑大于進氣腔，氣體在進入電離腔內部時降低了壓力，降低了F/O原子碰撞導致的原子淬滅問題，保證電離率，提高清潔效率。RPS 通過將氣體輸送到裝置中，利用電場或者磁場產生等離子體，然后將等離子體傳輸到需要處理的表面區域。福建半導體設備RPS等離子源處理cvd腔室

在微透鏡陣列制造中實現精確圖形化。海南國內RPS電源

RPS遠程等離子源的維護與壽命延長效益：設備停機時間是制造業的主要成本來源之一。RPS遠程等離子源通過定期清潔沉積腔室，減少顆粒污染引起的工藝漂移，從而延長維護周期。其高效的清洗能力縮短了清潔時間，提高了設備利用率。此外，RPS遠程等離子源的模塊化設計便于集成到現有系統中，無需大規模改造。用戶報告顯示，采用RPS遠程等離子源后，平均維護間隔延長了30%以上，整體擁有成本明顯 降低。這對于高產量生產線來說，意味著更高的投資回報率。海南國內RPS電源