國瑞熱控針對硒化銦等二維半導體材料制備需求，開發**加熱盤適配“固-液-固”相變生長工藝！采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內置銦原子蒸發溫控模塊，可精細控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩定在1:1！加熱面溫度均勻性控制在±0.5℃，升溫速率可低至0.5℃/分鐘，為非晶薄膜向高質量晶體轉化提供穩定熱環境！設備支持5厘米直徑晶圓級制備，配合惰性氣體保護系統，避免材料氧化，與北京大學等科研團隊合作驗證，助力高性能晶體管陣列構建，其電學性能指標可達3納米硅基芯片的3倍！創新熱傳導技術，熱量集中不散失，有效降低能源消耗成本。中國香港陶瓷加熱盤非標定制

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求！加熱元件采用片狀分布設計，熱響應速度快，可在5分鐘內將測試溫度穩定在-40℃至150℃之間，滿足高低溫循環測試、老化測試等場景要求！表面采用防粘涂層處理，減少測試過程中污染物附著，且易于清潔維護！配備可編程溫控系統，支持自定義測試溫度曲線，可存儲100組以上測試參數，方便不同型號器件的測試切換！與長電科技、通富微電等封裝測試企業合作，適配其自動化測試生產線，為半導體器件可靠性驗證提供精細溫度環境，助力提升產品良率！甘肅涂膠顯影加熱盤表面特殊處理耐腐蝕易清潔，適用于化學實驗室食品加工。

面向柔性半導體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設計適配彎曲基板！采用薄型不銹鋼加熱片（厚度0.2mm）與硅膠導熱層復合結構，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小5mm）而無結構損壞，加熱面溫度均勻性達±1.5℃，溫度調節范圍50℃-250℃，適配柔性基板鍍膜、光刻膠烘烤等工藝！配備真空吸附槽道，可牢固固定柔性基板，避免加熱過程中褶皺導致的工藝缺陷！與維信諾、柔宇科技等柔性顯示廠商合作，支持柔性OLED驅動芯片的制程加工，為柔性電子設備的輕量化、可彎曲特性提供制程保障！

借鑒空間站“雙波長激光加熱”原理，國瑞熱控開發半導體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備！采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受3000℃以上局部高溫，配合半導體激光與二氧化碳激光協同加熱，實現“表面強攻+內部滲透”的加熱效果！加熱區域直徑可在10mm-200mm間調節，溫度響應時間小于1秒，控溫精度±1℃，支持脈沖式加熱模式！設備配備紅外測溫與激光功率閉環控制系統，在鎢合金、鈮合金等耐熱材料研發中應用，為航空航天等**領域提供極端環境模擬工具！便于自動化集成，標準接口通訊支持，助力智能制造。

針對原子層沉積工藝對溫度的嚴苛要求，國瑞熱控ALD**加熱盤采用多分區溫控設計，通過仿真優化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標準！設備溫度調節范圍覆蓋室溫至600℃，升溫速率可達25℃/分鐘，搭配鉑電阻傳感器實現±0.1℃的控溫精度，滿足ALD工藝中前驅體吸附與反應的溫度窗口需求！采用氮化鋁陶瓷基底與密封結構，在真空環境下無揮發性物質釋放，且能抵御反應腔體內腐蝕性氣體侵蝕！適配8英寸至12英寸晶圓規格，通過標準化接口與拓荊、中微等廠商的ALD設備無縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障！專業熱仿真分析，優化熱場分布設計，確保加熱效果均勻。山西半導體晶圓加熱盤生產廠家

接口布線密封精心設計，確保整體性能穩定，延長使用壽命。中國香港陶瓷加熱盤非標定制

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力！采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度Ra小于0.1μm！內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達90%，升溫速率25℃/分鐘，工作溫度范圍室溫至500℃！設備具備1000小時無故障運行能力，通過國內主流客戶認證，可直接替換進口同類產品，在勻氣盤集成等場景中表現優異，助力半導體設備精密零部件國產化！中國香港陶瓷加熱盤非標定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進的發展理念，先進的管理經驗，在發展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創新，時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司，在江蘇省等地區的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神，努力把公司發展戰略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創造更有價值的產品，我們將以更好的狀態，更認真的態度，更飽滿的精力去創造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！