針對(duì)12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國(guó)瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤(pán)以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控！產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá)1500cm2，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求！每個(gè)模塊配備**溫控單元，通過(guò)**控制系統(tǒng)協(xié)同工作，確保整個(gè)加熱面溫度均勻性控制在±1.5℃以?xún)?nèi)！采用輕量化**度基材，在保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時(shí)降低設(shè)備重量，便于安裝與維護(hù)！表面經(jīng)精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導(dǎo)損耗，為先進(jìn)制程中大規(guī)模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案！多重安全保護(hù)機(jī)制，過(guò)溫過(guò)載自動(dòng)防護(hù)，讓您使用更安心放心。晶圓鍵合加熱盤(pán)

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，國(guó)瑞熱控配套加熱盤(pán)以穩(wěn)定溫控助力摻雜濃度精細(xì)控制！其采用耐高溫合金基材，經(jīng)真空退火處理消除內(nèi)部應(yīng)力，可在400℃高溫下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行而不變形！加熱盤(pán)表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對(duì)注入精度的干擾，同時(shí)具備優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，能快速將晶圓預(yù)熱至設(shè)定溫度并保持恒定！設(shè)備配備雙路溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，分別監(jiān)控加熱元件與晶圓表面溫度，當(dāng)出現(xiàn)偏差時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)制，溫度控制精度達(dá)±1℃！適配不同型號(hào)離子注入機(jī)，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口實(shí)現(xiàn)快速安裝，為半導(dǎo)體摻雜工藝的穩(wěn)定性與重復(fù)性提供有力支持！浙江晶圓加熱盤(pán)廠家精密溫控系統(tǒng)加持，溫度波動(dòng)范圍小，為科研實(shí)驗(yàn)提供可靠熱源保障。

針對(duì)半導(dǎo)體載板制造中的溫控需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤(pán)以高穩(wěn)定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝！采用不銹鋼基材經(jīng)硬化處理，表面硬度達(dá)HRC50以上，耐受載板加工過(guò)程中的機(jī)械沖擊無(wú)變形！加熱元件采用蛇形分布設(shè)計(jì)，加熱面溫度均勻性達(dá)±1℃，溫度調(diào)節(jié)范圍40℃-180℃，適配載板預(yù)加熱、樹(shù)脂固化等環(huán)節(jié)！配備真空吸附系統(tǒng)，可牢固固定不同尺寸載板（50mm×50mm至300mm×300mm），避免加工過(guò)程中位移導(dǎo)致的精度偏差！與深南電路、興森快捷等載板廠商合作，支持BT樹(shù)脂、玻璃纖維等不同材質(zhì)載板加工，為Chiplet封裝、扇出型封裝提供高質(zhì)量載板保障！

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國(guó)瑞熱控鍵合**加熱盤(pán)創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過(guò)彈簧壓力限制加熱平臺(tái)受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在0.02mm以?xún)?nèi)！加熱盤(pán)主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá)±1.5℃，適配室溫至450℃的鍵合溫度需求！底部設(shè)計(jì)雙層隔熱結(jié)構(gòu)，***層阻隔熱量向下傳導(dǎo)，第二層快速散熱避免設(shè)備腔體溫升過(guò)高！配備精細(xì)壓力控制模塊，可根據(jù)鍵合類(lèi)型調(diào)整吸附力，在硅-硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率！電熱轉(zhuǎn)換效率高，降低運(yùn)營(yíng)成本，實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)。

針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國(guó)瑞熱控ALD**加熱盤(pán)采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)！設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至600℃，升溫速率可達(dá)25℃/分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn)±0.1℃的控溫精度，滿(mǎn)足ALD工藝中前驅(qū)體吸附與反應(yīng)的溫度窗口需求！采用氮化鋁陶瓷基底與密封結(jié)構(gòu)，在真空環(huán)境下無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)釋放，且能抵御反應(yīng)腔體內(nèi)腐蝕性氣體侵蝕！適配8英寸至12英寸晶圓規(guī)格，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口與拓荊、中微等廠商的ALD設(shè)備無(wú)縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障！加熱盤(pán)及配套一站式，省時(shí)省心，長(zhǎng)期可信賴(lài)供應(yīng)商。天津陶瓷加熱盤(pán)供應(yīng)商

適用半導(dǎo)體、醫(yī)療、科研等多個(gè)領(lǐng)域，是您理想的加熱解決方案。晶圓鍵合加熱盤(pán)

國(guó)瑞熱控半導(dǎo)體測(cè)試用加熱盤(pán)，專(zhuān)為芯片性能測(cè)試環(huán)節(jié)的溫度環(huán)境模擬設(shè)計(jì)，可精細(xì)復(fù)現(xiàn)芯片工作時(shí)的溫度條件！設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋-40℃至150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達(dá)25℃/分鐘和20℃/分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化！加熱盤(pán)表面采用柔性導(dǎo)熱墊層，適配不同厚度的測(cè)試芯片，確保熱量均勻傳遞至芯片表面，溫度控制精度達(dá)±0.5℃！配備可編程溫度控制系統(tǒng)，可預(yù)設(shè)多段溫度曲線，滿(mǎn)足長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試需求！設(shè)備運(yùn)行時(shí)無(wú)電磁場(chǎng)干擾，避免對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)生影響，同時(shí)具備過(guò)溫、過(guò)流雙重保護(hù)功能，為半導(dǎo)體芯片的性能驗(yàn)證與質(zhì)量檢測(cè)提供專(zhuān)業(yè)溫度環(huán)境！晶圓鍵合加熱盤(pán)

無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶(hù)粉絲源，也收獲了良好的用戶(hù)口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！