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重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3一致性測試是否可以修復一致性問題？機械DDR3測試聯系方式 單擊NetCouplingSummary,出現耦合總結表格，包括網絡序號...

單擊Check Stackup,設置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(Permittivity (Er))及介質損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網絡、部分信號網絡或者網絡組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網絡。本例釆用的是檢查網絡組。檢查網絡組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現Set...

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網絡的分布參數模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 是否可以在已通過一致性測試的DDR3內存模塊之間混搭？設備DDR3測試配件DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態隨機存取存...

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設...

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網絡的分布參數模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口...

時序要求：DDR系統中的內存控制器需要遵循DDR規范中定義的時序要求來管理和控制內存模塊的操作。時序要求包括初始時序、數據傳輸時序、刷新時序等，確保內存模塊能夠按照規范工作，并實現穩定的數據傳輸和操作。容量與組織：DDR系統中的內存模塊可以有不同的容量和組織方式。內存模塊的容量可以根據規范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。內存模塊通常由多個內存芯片組成，每個內存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯粒可以組成密集的內存模塊。兼容性：DDR技術考慮了兼容性問題，以確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DD...

單擊NetCouplingSummary,出現耦合總結表格，包括網絡序號、網絡名稱、比較大干擾源網絡、比較大耦合系數、比較大耦合系數所占走線長度百分比、耦合系數大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。 單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網絡的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網絡組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對應的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 什么是DDR3內存的一致性問題？北...

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特...

還可以給這個Bus設置一個容易區分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。 重復以上操作，依次創建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節Byte3。 開始創建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內存模塊在數據操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數據。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規范要求。 讀寫測試：驗證內存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數據的正確性和一致性。 數據一致性檢查：通過檢查讀取的數據與預期的數據是否一致來驗證內存模塊的數據傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內存模塊的時序設置是否正確，并檢查內存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規范。...

· 相關器件的應用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設計建議，甚至參考設計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設計，ReferenceDesign：對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設計，以幫助使用者盡快實現解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據自己的需求進行更改。 · IBIS 文件：這個對高速設計而言是必需的，獲得的方法前面已經講過。 DDR3一致性測試期間如何設置測試環境？北京DDR3測試修理容量與組織：DDR規范還涵蓋了內存模塊的容...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內存模塊在數據操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數據。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規范要求。 讀寫測試：驗證內存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數據的正確性和一致性。 數據一致性檢查：通過檢查讀取的數據與預期的數據是否一致來驗證內存模塊的數據傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內存模塊的時序設置是否正確，并檢查內存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規范。...

DDR 系統概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統 SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數據判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統，總線包括地址線、數據信號線以及時鐘、控制線等。其中數據信號線可以隨著系統吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節為單位進行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3內存有哪些常見的容量大小？信號完整性測試DDR3測試價格優惠 DDR 系統概述 DDR 全名為 Double Data Rat...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內存模塊在數據操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數據。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規范要求。 讀寫測試：驗證內存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數據的正確性和一致性。 數據一致性檢查：通過檢查讀取的數據與預期的數據是否一致來驗證內存模塊的數據傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內存模塊的時序設置是否正確，并檢查內存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規范。...

DDR 系統概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統 SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數據判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統，總線包括地址線、數據信號線以及時鐘、控制線等。其中數據信號線可以隨著系統吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節為單位進行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統...

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網絡，為這些信號網絡分組并定義單個或者多個網絡組。選擇網絡DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data, 設置完成后，岀現Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網絡組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網絡組設置完成。 單擊設置走線檢查參數(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設 置：勾...

DDR 規范的 DC 和 AC 特性 眾所周知，對于任何一種接口規范的設計，首先要搞清楚系統中傳輸的是什么樣的信號，也就是驅動器能發出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術語講，就是信號的DC和AC特性要求。 在DDR規范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V. 在我們的實際設計中，除了要精確設計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統進...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準。以下是對DDR規范的一些解讀：DDR速度等級：DDR規范中定義了不同的速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級表示內存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。數據傳輸方式：DDR采用雙倍數據傳輸率，即在每個時鐘周期內進行兩次數據傳輸，相比于單倍數據傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時序要求：DDR規范定義了內存模塊的各種時序要求，包括初始時序、數據傳輸時序、刷新時序等。這些時序要求確保內存模塊能夠...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (...

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網絡的分布參數模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數據信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。 DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數據信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

高速DDRx總線系統設計 首先簡要介紹DDRx的發展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統，并推導源同步時鐘系統的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內存模塊？測量DDR3測試調試 DDR 規范解讀 為了讀者能夠更好...

如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。 選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設置界面中找到U100 (Controller)來設置模型。 在模型設置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中memorycontroller.ibs。 單擊Loa...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數據信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。 DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數據信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統設計帶來了更多、更大的挑戰。 Bank> Rank及內存模塊 1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR...

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (...