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借鑒空間站“雙波長(zhǎng)激光加熱”原理，國(guó)瑞熱控開發(fā)半導(dǎo)體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備！采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受3000℃以上局部高溫，配合半導(dǎo)體激光與二氧化碳激光協(xié)同加熱，實(shí)現(xiàn)“表面強(qiáng)攻+內(nèi)部滲透”的加熱效果！加熱區(qū)域直徑可在10mm-20...

國(guó)瑞熱控針對(duì)離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá)200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá)60℃/秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達(dá)40℃/秒，減少熱預(yù)算對(duì)晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小...

國(guó)瑞熱控半導(dǎo)體封裝加熱盤，聚焦芯片封裝環(huán)節(jié)的加熱需求，為鍵合、塑封等工藝提供穩(wěn)定熱源！采用鋁合金與云母復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼具輕質(zhì)特性與優(yōu)良絕緣性能，加熱面功率密度可根據(jù)封裝規(guī)格調(diào)整，比較高達(dá)2W/CM2！通過優(yōu)化加熱元件排布，使封裝區(qū)域溫度均勻性達(dá)95%以上，確保焊料...

國(guó)瑞熱控硅膠加熱板以耐高溫硅膠為基材，內(nèi)置鎳鉻合金發(fā)熱絲或碳纖維發(fā)熱體，通過壓延復(fù)合工藝制成，具備良好的柔性與貼合性。其工作原理是發(fā)熱體通電后均勻發(fā)熱，硅膠基材將熱量快速傳遞至被加熱表面，同時(shí)可根據(jù)被加熱物體的形狀進(jìn)行彎曲貼合，實(shí)現(xiàn)緊密加熱。產(chǎn)品厚度只 0.5...

國(guó)瑞熱控針對(duì)硒化銦等二維半導(dǎo)體材料制備需求，開發(fā)**加熱盤適配 “固 - 液 - 固” 相變生長(zhǎng)工藝。采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內(nèi)置銦原子蒸發(fā)溫控模塊，可精細(xì)控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩(wěn)定在 1:1。加熱面溫度均勻性控制在 ±0.5℃，升溫速率可低...

陶瓷加熱板憑借高效導(dǎo)熱性能成為加熱領(lǐng)域的選擇。國(guó)瑞的陶瓷加熱板采用高純度陶瓷材料，熱導(dǎo)性好，能快速將電能轉(zhuǎn)化為熱能，實(shí)現(xiàn)快速升溫。其加熱均勻性出色，可使整個(gè)加熱面溫度一致，避免局部過熱或過冷，適用于對(duì)溫度均勻性要求高的半導(dǎo)體制造、電子元器件測(cè)試等領(lǐng)域。而且，陶...

針對(duì)12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國(guó)瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控！產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá)1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求！每個(gè)模塊配備**溫控單元，通過**控...

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國(guó)瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長(zhǎng)期浸泡無腐蝕。加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠。通過底部加熱...

國(guó)瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá) 90%，升溫速率 25℃...

國(guó)瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá) 90%，升溫速率 25℃...

針對(duì)半導(dǎo)體載板制造中的溫控需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤以高穩(wěn)定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝。采用不銹鋼基材經(jīng)硬化處理，表面硬度達(dá) HRC50 以上，耐受載板加工過程中的機(jī)械沖擊無變形。加熱元件采用蛇形分布設(shè)計(jì)，加熱面溫度均勻性達(dá) ±1℃，溫度調(diào)節(jié)范圍 40℃-180...

針對(duì)碳化硅襯底生長(zhǎng)的高溫需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區(qū)布局技術(shù)，**溫度梯度可控性差的行業(yè)難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率達(dá) 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長(zhǎng)工...

國(guó)瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測(cè)試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、...

國(guó)瑞熱控不銹鋼加熱板針對(duì)腐蝕性工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)，采用 316L 超級(jí)不銹鋼材質(zhì)，具備極強(qiáng)的耐酸堿、耐鹽霧腐蝕性能，可在化工、半導(dǎo)體清洗等腐蝕性場(chǎng)景中長(zhǎng)期使用。產(chǎn)品內(nèi)置高純度鎳鉻發(fā)熱絲，采用氧化鎂粉絕緣填充，經(jīng)高溫壓制而成，確保發(fā)熱均勻且絕緣可靠。其工作原理是發(fā)熱絲...

針對(duì)半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定。采用鋁合金基體與柔性導(dǎo)熱墊層復(fù)合結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支...

國(guó)瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力！采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度Ra小于0.1μm！內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá)90%，升溫速率25℃/分鐘，工...

針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國(guó)瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，升溫速率可達(dá) 25℃/ 分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn) ±0.1℃的控溫精度，...

國(guó)瑞熱控依托10余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求！服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測(cè)試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、氮化...

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國(guó)瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長(zhǎng)期浸泡無腐蝕！加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備1500V/1min的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠！通過底部加熱與側(cè)...

國(guó)瑞熱控12英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在0.015mm以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求！內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分8個(gè)**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，...

國(guó)瑞熱控高真空半導(dǎo)體加熱盤，專為半導(dǎo)體精密制造的真空環(huán)境設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無污染加熱解決方案。產(chǎn)品采用特殊密封結(jié)構(gòu)與高純材質(zhì)制造，所有部件均經(jīng)過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環(huán)境下無揮發(fā)性物質(zhì)釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設(shè)計(jì)，與基材緊密結(jié)合，熱量...

國(guó)瑞熱控半導(dǎo)體封裝加熱盤，聚焦芯片封裝環(huán)節(jié)的加熱需求，為鍵合、塑封等工藝提供穩(wěn)定熱源。采用鋁合金與云母復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼具輕質(zhì)特性與優(yōu)良絕緣性能，加熱面功率密度可根據(jù)封裝規(guī)格調(diào)整，比較高達(dá) 2W/CM2。通過優(yōu)化加熱元件排布，使封裝區(qū)域溫度均勻性達(dá) 95% 以上，確...

國(guó)瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。...

針對(duì)等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國(guó)瑞熱控配套加熱盤采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏9級(jí)，可耐受等離子體長(zhǎng)期轟擊而無材料脫落！加熱盤內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1...

國(guó)瑞熱控建立半導(dǎo)體加熱盤全生命周期服務(wù)體系，為客戶提供從選型咨詢到報(bào)廢回收的全流程支持！售前提供工藝適配咨詢，結(jié)合客戶制程需求推薦合適型號(hào)或定制方案；售中提供安裝調(diào)試指導(dǎo)，確保加熱盤與設(shè)備精細(xì)對(duì)接，且提供操作培訓(xùn)服務(wù)；售后提供7×24小時(shí)技術(shù)支持，設(shè)備故障響應(yīng)...

為解決加熱盤長(zhǎng)期使用后的溫度漂移問題，國(guó)瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測(cè)溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度...

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國(guó)瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺(tái)受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá) ±1.5℃...

國(guó)瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)的精細(xì)溫控設(shè)計(jì)，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產(chǎn)品采用藍(lán)寶石覆層與鋁合金基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面經(jīng)拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產(chǎn)物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協(xié)同適配，通過底部導(dǎo)熱紋路優(yōu)化，使熱量...

國(guó)瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力！采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度Ra小于0.1μm！內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá)90%，升溫速率25℃/分鐘，工...

面向柔性半導(dǎo)體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設(shè)計(jì)適配彎曲基板。采用薄型不銹鋼加熱片（厚度 0.2mm）與硅膠導(dǎo)熱層復(fù)合結(jié)構(gòu)，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小 5mm）而無結(jié)構(gòu)損壞，加熱面溫度均勻性達(dá) ±1.5℃，溫度調(diào)節(jié)范圍 50...